第3课逻辑门电路.ppt

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第3课逻辑门电路

3.1.3 晶体三极管的开关特性 3.2.2. 晶体三极管非门电路 3.2.3 二极管-三极管与非门(DTL与非门) 二极管—三极管或非门和与或非门 3.5.3 CMOS逻辑门 3.5.4 CMOS电路使用注意事项 3.6 编程逻辑器件(PLD)简介 3.6.1 PLD概述 3.6.2 PLD的编程工艺 (一般了解) 3.6.3 PLD的基本结构 3.6.4 PLD的开发过程 (a) 1 〇 〇 F EN A EN CMOS三态门电路及逻辑符号 ● VDD ● 〇 ● ● ● TP1 TN2 F A TP2 TN1 EN 0 0 导通 1 导通 F=A 5.CMOS传输门 CMOS传输门及其逻辑符号 vO/ vi vi/vO C C TG 〇 vO/ vi C ● ● TN TP VDD vi/vO C 2. 在组装调试电路时,烙铁、测量仪表、工作台面等应良好接地。操作人员的服装、手套等应选用无静电的材料制作。在通电状态下不能拆装器件或印制板,器件插入或拔出插座之前,应关闭电源。 3.输入电路的静电防护。 1.未用输入端的处理。 不允许悬空,闲置端一定按要求接高电平或低电平 可编程逻辑器件PLD(Programmable Logic Device是80年代发展起来的有划时代意义的新型逻辑器件,它是一种由用户编程以完成某种逻辑功能的器件。不同种类的PLD大多具有与、或两级结构,且具有现场可编程或在系统可编程的特点。 1. 简化设计 2. 高性能 3. 可靠性高 4. 成本降低 +5V F R4 R2 R1 T2 R5 R3 T3 T4 T1 T5 A B D E 0 1 截止 +5V F R4 R2 R1 T2 R5 R3 T3 T4 T1 T5 A B D E 1 0 导通 截止 截止 高阻态 A B F EN 符号 低电平起作用 高电平起作用 EN 0 EN = 1 EN = 功能表 1 EN = 0 EN = A B F EN 符号 EN 惯用符号 EN A B 惯用符号 EN A B E1 E2 E3 公用总线 0 1 0 三态门广泛应用于信号传输中,可以实现一根导线分时轮流传送多路信号而不至于互相干扰。 用途: E1、E2、E3分时接入高电平 EN 总线 Q P E F 1 A0 EN 1 数据的双向传输 传输门 传输门及其逻辑符号 vO/ vi vi/vO C C TG 〇 C=1,C=0时, vi与vO之间称低阻状态,传输门接通。 C=0,C=1时, vi与vO之间称高阻状态,传输门截止。 2.3.4 TTL电路使用常识 1. TTL产品系列 1) 74系列—标准的TTL系列,PCC=10mW,tpd=9ns。 2) 74L系列—低功耗系列,PCC=1mW,tpd=33ns。 3) 74H系列—高速系列,PCC=22mW,tpd=6ns。 4) 74S系列—肖特基系列,PCC=109mW,tpd=3ns。 5) 74LS系列—低功耗肖特基系列,PCC=2mW,tpd=9ns。 2、TTL门电路的开门电阻Ron和关门电阻Roff +5V F R4 R2 R1 3k T2 R5 R3 T3 T4 T1 T5 b1 c1 Ri Ui +5V F R4 R2 R1 3k T2 R5 R3 T3 T4 T1 T5 b1 c1 Ri Ui Ui=Ii×Ri i 1 CC R R 0.7 V + - = ×Ri =Uoff 0.8V Ri =0.8K Roff 关门电阻Roff R ? Roff ,输入低电平。 开门电阻Ron +5V F R4 R2 R1 3k T2 R5 R3 T3 T4 T1 T5 b1 c1 Ri Ui Ui=Ii×Ri i 1 CC R R 0.7 V + - = ×Ri =Uon 1.8V Ri =1.8K Ron R? Ron ,输入高电平。 3. TTL门电路多余输入端的处理 F=AB 1)与非门的不用输入端的处理 A B 1 悬空 2)或非门的不用输入端的处理 F=A+B A B A B A B 0 ≥1 ≥1 A B A.B A.B.1 = A.B.B A.B = A+B+0 A+B = A+B+B A+B = 4. TTL电路带灌流负载能力强于带拉流负载能力 TTL与非门IOL(max)=16mA , IOH (max) =0.4mA 5V 若LED 正常工作电流为10-20mA 1、三极管的三

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