电工学下 第14章 半导体器件.pdfVIP

第14 章半导体器件 14.1 半导体的导电特性 1.空穴电流是不是由自由电子底部空穴所形成的？ 答:所谓空穴是价电子挣脱共价键的束缚，在原来的位置上留下 的空位，当其他的价电子从一个束缚状态跳入到这个空位上时就相当 于这个空位在移动，在外电场作用下定向移动形成空穴电流；而自由 电子跳入到空穴里是自由电子空穴的复合，是自由电子和空穴同时消 失的过程。 2.半导体的导电方式和金属导电方式有什么不同？ 答:金属导电是靠金属存在的大量自由电子导电的，并且参与导 电的只有自由电子；而在半导体中有挣脱共价键束缚形成的自由电子， 同时半导体内还有大量的空穴，空穴可以认为是带有一个单位正电荷 的粒子，通过价电子递补空穴的运动相当于空穴也在运动，在电场的 作用下能够参与导电；因此在半导体中除了自由电子以外还有空穴参 与导电，这是金属导电的本质区别。 3.在N 型半导体中，多数载流子是电子，电子带负电，是不是意 味着N 型半导体就是带负电？ 答：N 型半导体是在本征半导体中加入少量的五价元素形成的， 加入的五价元素的原子是电中性的，同时原有的本征半导体也是电中 1 性的，因此即便是在N 型半导体中，电子是多数载流子，整个半导体 仍然是电中性的。 14.2PN 结及其单向导电性 1. 空间电荷区既然是由带电的正、负离子形成的，为 什么它的电阻率很高？ 答:空间电荷区是由P 型区和N 型区中的多数载流子扩散运动而 形成的，其中的正负离子是所加入的三价和五价元索电离的离子，这 些离子只是替代了原有的硅原子或锗原子，他们仍然是和周围的四个 硅原子或者锗原子各自形成四个共价键，这些正负离子是不能移动的， 并且空间电荷区的多子和少子己经被耗尽，这样空间电荷区的电阻率 就会很高。 2. PN 结可以实现单向导电，反偏电压是不是可以无限 增加？ 答: PN 结的一个重要特性是单向导电性，在PN 结反偏时，会产 生一个反向饱和漏电流，在忽略这个微小电流时，可以认为反向时截 止。但是反向电压并不可以无限地增加，因为当外加电场增强得PN 结空间电场进一步增大时，共价键中的价电子受电场力的作用，就会 把价电子从共价键中拉出来，并在电场中进一步加速，同时还会撞击 它的价电子，把把这些价电子从共价键中也撞出来，进一步加速，形 成一个连锁的反应，反向电流急剧增大，此时PN 结己经击穿。反向 2 击穿通常是被禁止的，它会使PN 结损坏，因此所加的反向偏压是有 一定限制的，不能无限增加。 14.3 二极管 3 4 5 6 14.4 稳压二极管、双极型晶体管 7 8 9 14.5 绝缘栅型场效应晶体管 10 14.6 光电