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2017-07-21 发布于浙江
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高功率半导体激光器

高功率半导体激光器 High Power Diode Laser 基于最新锥形和大面积半导体激光器巴条的半导体激光器模块(2) 编者按：上期杂志的第24-27页刊登了本文的前半部分，下面将继续刊登本文的后半部分。 DILAS，OSRAM Opto Semiconductors 锥形半导体激光器巴条的特征 70 35 （1）单巴条的电光数据 25 12 60 30 12 图3 给出了不同类型锥形半导体 50 25 激光器巴条的功率- 电流曲线。其中 ) 40 ) 20 W W ( ( 左图显示的是工作波长为940nm、由 30 15 25 个发射体组成的10mm 宽巴条的测 20 10 10 5 量曲线。当电流为70A 时，10mm 宽 0 0 巴条的最大输出功率为58W ，效率接 0 10 20 30 40 50 60 70 80 0 5 10 15 20 25 30 35 40 (A) (A) 近50％。右图显示的是两个工作波长为980nm、由12 个发射体组成的5mm 图3 ：不同类型锥形半导体激光器巴条的功率- 电流曲线。左图给出了工作波长为940nm、由25个发射体组成的主动冷却10mm宽巴条的曲线；右图给出了工作波长为980nm、由12个发射体组成的5mm 宽巴条的功宽巴条的功率- 电流曲线。此外，右率曲线，以及主动和被动冷却巴条的性能比较。图还比较了锥形半导体激光器巴条分别置于微通道主动冷却热沉和被动传 40 40 36 36 FAC/SAC FAC/SAC 导冷却热沉上的性能。当电流为35A 32 200μm 32 200μm 28 808 nm 28 980 nm 时，主动和被动冷却方式的最大输出 24 24 ) )