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半导体材料的结构
金刚石结构
闪锌矿结构
纤锌矿结构
NaCl结构
砷化镓等大多数III-V族化合物半导体
具有闪锌矿结构。闪锌矿结构晶格
中除每个原子最近邻是不同原子
外，与金刚石结构是相同的。每个
原子和周围四个原子发生键合。
极性对解理性的影响：闪锌矿结构的解理面不是(111)面，而主要是(110)
面。
对于没有极性的金刚石来说，(111)面间距大，价键密度低，易断裂，是
解理面。但对具有闪锌矿结构的GaAs材料，虽然(111)面间距大于(110)
面、但(111)面的两层分别由Ga原子和As原子组成。由于两者间的极化使
(111)面间存在较强的库仑吸引力，不易断开。而(110)面间距虽然比(111)
面小，但它由相同数目的Ga、As原子组成，在(110)面上存在较强的库伦
作用，而平行晶面间作用较弱，当相邻两层(110)面沿[211]方向移动一定
的距离后，刚好会使两层之间的III族原子和IV族原子上下对齐。闪锌矿结
构III-V族化合物的主要解理面是(110)面，对于离子性不太强的材料如
GaAs ，沿(111)面也有微弱的解理性。
此外极性对表面腐蚀、晶体生长、晶片加工中引起损伤层厚度、表面完
整性等方面都有影响。
半导体材料的禁带
1. 带隙的类型
直接带隙：GaAs, GaN, ZnO,
间接带隙：Si, Ge, Si Ge , GaP, SiC,
x 1-x
2. 禁带宽度的相对大小
由Zn和Cd组成的II-VI族化合物的禁带宽度比同一周期的III-V
族化合物及元素半导体的禁带宽度都大。
ZnSe GaAs Ge
2.7 eV 1.43 eV 0.66 eV
CdTe InSb Sn
1.6 eV 0.18 eV a-Sn 0.08 eV
元素 导体是单纯的共价键，在同一族中，其原子序数越大，
共价键的键合能越小，其熔点越低，带隙也越小。化合物半导
体基本上也是如此，其组成元素的原子序数N1，N2之和越大，
材料的熔点越低，带隙越小。
GaN 3.30 InN 1.9 (old) BAs 1.85 (计算)
0.7(now) 0.7(测量)
GaP 2.86 InP 1.46 AlAs 3.13
GaAs 1.56 InAs 0.354 GaAs 1.52
GaSb 0.81 InSb 0.17 InAs 0.42
II-VI族化合物的能带结构都是直接跃迁型。由Zn和Cd组成
的II-VI族化合物禁带宽度比较大，而含Hg的II-VI族化合
物，除a-HgS外都是半金属。
化合 禁带宽 化合 禁带宽 化合物 禁带宽
物 度/eV 物 度/eV 度/eV
ZnS 3.6 CdS 2.4 a-HgS 2.1
b-HgS
ZnSe 2.7 CdSe 1.67
HgSe 0.12
(半金属)
ZnTe
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