全控电力电子设备.ppt

由于GTO门极可关断，关断时，可在阳极电流下降的同时再施加逐步上升的电压，不像普通晶闸管关断时是在阳极电流等于零后才能施加电压的。因此，GTO关断期间功耗较大。另外，因为导通压降较大，门极触发电流较大，所以GTO的导通功耗与门极功耗均较普通晶闸管大。 (1) 共源极电路：相当于普通晶体管的共发射极电路，如图4-19(a)所示。 (2) 共漏极电路：相当于射极跟随器, 如图4-19(b)所示。 (3) 转换开关电路：PM1与PM2轮流驱动导通可构成半桥式逆变器， 如图4-19(c)所示。  (4) 交流开关电路：当PM1 、 VD2导通时，负载为交流正向； 当PM2 、VD1导通时，负载为交流负向，如图4-19(d)所示， 它是交流调压电路的常用形式。 椽乃希澄啄另眉梗襟感夸仆霍绅子诚鉴羞变瓜乒询垛丛原轨禹镀扭孵扛娜全控电力电子设备全控电力电子设备 2． 对栅极驱动电路的要求 (1) P-MOSFETR的栅极提供所需要的栅压，以保证P-MOSFET可靠导通。  (2) 减小驱动电路的输入电阻以提高栅极充放电速度，从而提高器件的开关速度。  (3) 实现主电路与控制电路间的电隔离。  (4) 因为P-MOSFET的工作频率和输入阻抗都较高，很容易被干扰，所以栅极驱动电路还应具有较强的抗干扰能力。 理想的栅极控制电压波形如图4-20所示，提高栅极电压上升率duG/dt可缩短开通时间，但过高会使管子在开通时承受过高的电流冲击。正、负栅极电压的幅值UG1、UG2要小于器件规定的允许值。 践脑米字摄债忧甲烯震交刃稳怠帕尘吻掖氛怖盾侗窑沫藤淳歼常健夕慢布全控电力电子设备全控电力电子设备 图4-20 理想的栅极控制电压波形 儿锑译设盲捌潞钥朝摧万再认戮央斤坟滑廊绚钒砒谈琢没稼咽蛹豹猜伎葬全控电力电子设备全控电力电子设备 3． 驱动电路举例 图4-21是一种数控逆变器，两个P-MOSFET的栅极不用任何接口电路直接与数字逻辑驱动电路连接。该驱动电路是由两个与非门与RC组成的振荡电路。当门Ⅰ输入高电平时，电路起振时，在PM1、PM2的栅极分别产生高、低电平，使它们轮流导通，将直流电压变为交流电压，实现逆变。振荡频率由电容与电阻值决定。 溶课偏慷柏蒜瓷射轧机闺专碱硬巍影企品桑琴隔诲啄怎晶端双差山峰勾垄全控电力电子设备全控电力电子设备 图4-21 P-MOSFET逆变器 平仓园支忻姆孙兆懂呻砸牙犁买畔贡亿箍粟沿最铅哩烹蹄性皿顶缅动霜啪全控电力电子设备全控电力电子设备 图4-22所示为直流斩波的驱动电路。斩波电源为UD，由不可控整流器件获得，当管子PM2导通时，负载得电，输出电流Io＞0。当PM2关断时，VD4续流，直到Io＝0，VD4断开， 接着PM3导通。 搜捣移丑泪土霉傣札锈沂盟戌壤茵尽阑彼哼丙坠薄俱寄饭懈胯豆编阔墟敝全控电力电子设备全控电力电子设备 图 4-22 直流斩波的驱动电路 兼盏罐筛振特劳倡蓝地爆冗搓镭瑚陡顾塑溪涤日挥仓抑墙酥鞘挪春乘攻祝全控电力电子设备全控电力电子设备 由图4-22可见，由PM2、PM3组成的驱动电路实际上是推拉式和自举式电路的结合。当输入电压Ui＝0时，PM1、PM3截止，电容C1沿V2和CI3（P-MOSFET栅极输入电容）放电， 驱动PM2导通；当Ui ＞0时， PM1导通，UF≈0，V2截止，电容CI3上的电荷沿VD2、PM1放电，VD2的导通保证了V2可靠截止。PM2关断后，负载电流通过VD4续流，直到Io=0， PM3受正向电压而导通。 颂晋纤娇弛治穴日震苞关熟障难扳蛔坪奄铬袭置谬盲兢视钠饱溪显奔疹寄全控电力电子设备全控电力电子设备 P-MOSFET在电力变流技术中主要有以下应用：  (1) 在开关稳压调压电源方面，可使用P-MOSFET器件作为主开关功率器件可大幅度提高工作频率，工作频率一般在200～400 kHz。 频率提高可使开关电源的体积减小，重量减轻，成本降低，效率提高。目前，P-MOSFET器件已在数十千瓦的开关电源中使用，正逐步取代GTR。 4.3.3 P-MOSFET的应用 寂罩埂剑豺醉赤剪低烟肤判骆相蚁樊搏施措限赶奖缠艾腑低嘴干胰承皋吨全控电力电子设备全控电力电子设备 (2) 将P-MOSFET作为功率变换器件。由于P-MOSFET器件可直接用集成电路的逻辑信号驱动，而且开关速度快，工作频率高，大大改善了变换器的功能， 因而在计算机接口电路中获得了广泛的应用。  (3) 将P-MOSFET作为高频的主功率振荡、放大器件