Lecture 10. 存储器系统_myf.pptx

存储器系统;目录;存储器的基本概念;目录;按构成存储器的器件和存储介质分类：;存储器的分类;按存放信息原理不同;按在微机系统中的位置分类：;目录;存储器性能指标主要有三项： 存储容量、存储速度、可靠性;目录;存储器的组成结构;存储器的组成结构;静态随机存取存储器SRAM 动态随机存取存储器DRAM;静态随机存储器（SRAM）的基本存储单元;存储器的组成结构;;X地址译码线;X地址译码线;X地址译码线;存储器的组成结构;存储器的组成结构;存储器的组成结构;存储器的组成结构;存储器的组成结构;存储器的组成结构;;tDW;16X2静态RAM原理图;16X2静态RAM封装引脚图; 静态随机存取存储器SRAM举例;静态RAM存储器芯片IS61LV6416;动态随机存取存储器DRAM基本存储单元;典型存储器——动态RAM存储器芯片Intel 2164A;动态RAM存储器芯片Intel 2164A ;典型存储器——动态RAM存储器芯片Intel 2164A ;掩膜式ROM—MROM（Mask ROM） 可编程ROM－PROM（Programmable ROM） 可擦除可编程ROM—EPROM（Erasable Programmable ROM） 电可擦除可编程ROM—EEPROM （Electrically Erasable Programmable ROM） 快擦型存储器(Flash Memory) ;掩膜式ROM是厂家根据用户事先编写好的机器码程序，把0、1信息存储在掩模图形中而制成的芯片。芯片制成后，存储位的状态即0、1信息就被固定了。;PROM一种可由用户通过简易设备写入信息的ROM器件 。;可擦除可编程ROM——EPROM; 芯片的上方有一个石英玻璃的窗口，通过紫外线照射，芯片电路中的浮空晶栅上的电荷会形成光电流泄漏走，使电路恢复起始状态，从而将写入的信号擦去。;典型EPROM 芯片Intel 2716; 可闪速存储器（ Flash Memory ）是一类非易失性存储器， 即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息。1980年，Intel以EPROM为基础，研制成功block读写的Flash Memory；1987年，东芝开发了NAND闪存；1988年，Intel开发NOR闪存。NOR闪存和NAND闪存目前已经成为主流的两种闪存。除了NOR闪存和NAND闪存，后来还有三菱的DiNOR闪存和日立的AND型闪存。 ;NOR flash带有类似SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。; NAND flash接口较为特殊, 使用8个IO引脚来传送控制、地址和数据信息。 （了解）;存储器的组成结构;目录;存储器扩展技术;存储器的容量：字数×字长;存储器扩展技术;位扩展;字扩展;;存储器扩展技术;存储器扩展技术;存储器扩展技术;存储器扩展技术;存储器扩展技术;存储器扩展技术;存储器扩展技术;IS64LV6416中A0~15为地址线，总共16根地址线（即2^16=64K，1K=1024）；I/O0~15为数据线，总共16根数据线。CS是片选信号；OE是输出使能信号（读信号）；WE为写使能信号；UB和LB分别是高字节控制和低字节控制信号;IS64LV6416读时序;IS64LV6416写时序; STM32的FSMC存储块1 支持的异步突发访问模式包括：模式1、模式A~D等多种时序模型，驱动SRAM时一般使用模式1或者模式 A，这里我们使用模式A来驱动SRAM。; 对于NOR FLASH/PSRAM控制器(存储块1)，通过FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx寄存器设置（其中x=1~4，对应4个区）。通过这3个寄存器，可以设置FSMC访问外部存储器的时序参数，拓宽了可选用的外部存储器的速度范围。 ;SRAM/NOR闪存片选时序寄存器（FSMC_BTRx）;目录;存储芯片的地址分配;存储芯片的地址分配;线选法 各芯片的基本地址空间分配表：;存储芯片的地址分配;存储芯片的地址分配;存储芯片的地址分配;存储芯片的地址分配;存储芯片的地址分配;存储芯片的地址分配;存储芯片的地址分配;练习; ;目录;PC系列微机的存储器接口;PC系列微机的存储器接口;PC系列微机的存储器接口;PC系列微机的存储器接口;PC系列微机的存储器接口;PC系列微机的存储器接口;存储器连接需要考虑的问题： 1 总线的负载能力： CPU在设计时，一般输出线的直流负载为带一个TTL负载，现存储器都为MOS电路，直流负载很小，主要的负载是电容负载，故在小型系统中，CPU是可以直接与存储器相连的，而较大的系统中，就要考虑CPU能否带得动，需要时就要加上缓冲器，由缓冲器的输出再