2013届杨小师-超晶格的电子态研究.docVIP

本科生毕业设计（论文） ( 2013届 ) 题 目： 超晶格的电子态研究 学 院： 数理与信息工程学院 专 业： 物 理 学 学生姓名： 杨小师 学号： 指导教师： 单哲飞 职称： 讲师 合作导师： 职称： 完成时间： 2013 年 5 月 1 日 成 绩： 浙江师范大学本科毕业设计(论文)正文 目 录 摘要 1 英文摘要 1 1 绪论..............................................................................................................................1 1.1 超晶格的由来及发展 ………...…..………………………………………………1 1.2 超晶格的分类 …………………………………………………………………….2 1.3 量子阱 …………………………………………………………………………….2 1.4 国内外研究现状 ………………………………………………………………….3 1.5 选题意义 ………………………………………………………………………….4 2 理论方法......................................................................................................................5 2.1 建立薛定谔方程的主要思路 5 2.1.1 自由粒子一维薛定谔方程 5 2.1.2 推广到三维的一般情况 5 2.1.3 定态薛定谔方程 5 2.2 求解薛定谔方程的方法：传递矩阵法 6 2.3 求解超晶格束缚态电子能级的方法…………….…....………………….....…...10 2.3.1 超晶格中的电子态..............................................................................................10 2.3.2 晶体势场的Kroning-penney模型………………………...…..……….……....10 2.3.3 薛定谔方程、传递矩阵法在Kroning-penney模型的运用……………........10 2.3.4 本征值和本征矢的解...……………………..………………………..………...13 3 结果和讨论 13 4 结论 20 参考文献 20  超晶格的电子态研究 数理与信息工程学院 物理学 杨小师 指导老师：单哲飞 摘要: 本文采用传递矩阵法求解了I型超晶格GaAs/AlAs体系的电子能级，分析了该体系下的电子能级结构和带宽随势阱宽度、势垒宽度的变化关系。结果表明：阱宽和垒宽对超晶格微带的位置和带宽都有影响。阱宽固定，垒宽较大时，能级是分立的；垒宽较小时，由于相邻阱间的耦合作用，孤立的能级展宽为微带。 关键词：超晶格；电子态；传递矩阵法；能级 Investigation of Electronic States of Super-lattice YANG Xiao-shi Director：-fei （Dept.of Mathematical and Information EngineeringZhejiang Normal University） Abstract：In thGaAs/AlAs superlattice by the transfer matrix method, and analyzed the changing of electron energy level with the widths of the barrier and the well. The results show that the widths of the barrier and the well have important effect on the electron state of the GaAs/AlAs superl