电化学腐蚀法制备的SiO2 包裹纳米硅颗粒结构的电致发光特性3.PDF

第 26 卷 　第 3 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 3 2005 年 3 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　Mar . ,2005 电化学腐蚀法制备的 SiO2 包裹纳米硅 颗粒结构的电致发光特性 1 ,2 1 1 严勇健 　吴雪梅 　诸葛兰剑 ( 1 苏州大学物理系 , 苏州 　2 15006) (2 苏州市职业大学 , 苏州 　2 150 11) 摘要 : 将采用传统电化学腐蚀法制备的多孔硅样品 ,用浸泡液浸泡剥离其表层多孔层 ,使样品表面形成 SiO2 包裹 纳米硅颗粒的结构 ,在表面镀半透明Au 膜后制备成电致发光器件. 在正向偏压下样品可以长时间稳定地发出绿光 (5 10nm) ,并且随着偏压的升高 ,发光强度增强 ,峰位不变. 讨论了可能的发光机制. 关键词 : 多孔层 ; 电致发光 ; 纳米硅颗粒 ; 发光中心 PACC : 7830 ; 7855 中图分类号 : O4844 + 1 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 法清洗基片 ,然后放入电解装置 ,硅片与电极接触之 1 　引言 间放一铝膜 , 以形成 良好 的欧姆接触 , 电解液为 40 % H F ∶C H C H O H = 1 ∶1 , 电流密度为 40mA/ 3 2 自1990 年 Canham 报道了室温下多孔硅在可 cm2 ,时间为 10min ,腐蚀过程中无紫外光照射. 新鲜 见光区的强红光发射[ 1] 后 , 因其在光电子集成方面 制备的多孔硅在紫外光照射下发出明亮的红色光 , 潜在的应用前景而引起了人们的极大兴趣. 大量研 ( 样品放入浸泡液 H O ∶H O ∶C H C H O H = 1 ∶ 2 2 2 3 2 究者在提高其发光效率和稳定性方面作了很多有益 2 ∶3) 中浸泡 24h . 待多孔层剥离后 ,采用金属掩膜 的探讨 ,并取得了一些进展[2～4 ] . 然而 , 多孔层结构 在样品表面上沉积厚约 30nm 的圆形 A u 膜作为透 的脆弱 、成分的复杂及电导性差等因素 ,限制了多孔 明上电极 ,硅片背面直接用银胶粘在铜板上作为背 硅发光管的制造. 同时采用磁控溅射复合膜等方法 电极. 作为对比,我们还制作了未剥离多孔层和空白 所制备的样品 ,必须经过退火等后处理才能在介质 硅片的电致发光器件. 采用 Hit achi S570 型扫描电 中形成有效的纳米颗粒[ 5 ] . 本实验利用溶液浸泡