应对45nm缺陷挑战.pdfVIP

PROCESSING／~,T艺与制造 MANUFACTURING 应对45 nm缺陷挑战 用检查仪以及无图形晶圆检查仪。这些工具使用 BeckyPinto 光子 (光)或电子检测缺陷，并生成一个缺陷坐 加藤昌彦 在 半导体行业的早期，在实施缺陷检查看表面上的灰尘和其它微粒时，会将晶圆置于光线明亮之处，查 KLA．Tencor ， 并计算 标图。根据散射／反射／放射的光或电子的特 WWW Ha—cenCor．corn 散射中心的数量。上世纪9O年代初，业界领先 性，它们还能够对缺陷进行大致分类。 企业开始引入在线缺陷检查，以提高良率，增加 晶圆检查和复查的目的是生成一个能够精确 盈利并加快其产品上市步伐。如今，全球最先进 反应被检查晶圆上关键缺陷(DOI)的缺陷分类 的晶圆代工厂使用一整套高度自动化的缺陷检查 柱状图。缺陷检查系统的作用是最大化关键缺陷 和复查系统，借助尖端的光学或电子束技术及专 的捕获，并最小化非关键缺陷的捕获，或将其准 门算法，可以发现并区分各种微粒和图形缺陷。 确识别为非关键缺陷。随后，关键缺陷的样本被 发送到复查系统，进行详细分类。最后将生成一 45rim缺陷挑战 个缺陷分类柱状图，帮助缺陷和良率工程师迅速 业界领先的逻辑、存储及晶圆厂家已推出许 识别并解决缺陷问题。 多创新性解决方案，以应对其技术挑战，从而完 缺陷密度的演变历程 成45nm节点的工艺开发工作。在光刻领域，出 现了两次成形和间隔掩膜等新技术。但是，越来 越多的层数需要使用浸没式扫描曝光机产生期望 漫 的图形。45nm节点级的新材料和技术包括应变 窨 强化、超浅接面(USJ)、超低介电常数材料、高 介电常数或金属门，以及新的后段制程(BEOL) 覆层和阻障层。晶圆厂还采用了新的体系架构和 毯 设备结构，例如FinFET DRAM，相变内存和 ： NAND电荷陷阱。 所有这些创新都对缺陷性有所影响 (图1)。 年份 随着更细微的新型缺陷的出现，检查系统必须具 图1．近年来，缺陷密度的发展偏离摩尔定律的轨迹，并逐渐稳定在0．1—1 备极高的灵敏度。每个晶圆上有成千上万的缺陷， 个缺陷／平方曩米的范围。 扫描电子显微镜(SEM)只能检测到并区分5O到 100个缺陷。因此，这一微小样本必须准确呈现 晶圆上影响良率的缺陷 (“致命缺陷”)数量，这 一 点正变得越来越重要。借助一个好的扫描电子 显微镜样本，检查工具能够给出一个可操作的缺 陷分类柱状图分析，帮助缺陷和良率工程师以对 周期的最小影响，快速准确地解决缺陷问题。 品圆检查技术 在45nm节点级，芯片制造商利用一系列 检查和复查工具，包括明暗场光学图形晶圆检查 图2．检查时使用的波长会影响捕获的缺陷类型。宽带光源为明场检查系统 仪、电子束图形晶圆检查仪、晶圆边缘及斜面专 提供最多的捕获类型。 www．sichinamag．corn -÷ 43 PRoCESSlNG 工艺与制造 j MANUFACTURING 一 片晶圆在每一个站点都被检 一 … 一 一一 … … …一一 一 明场系统可能会得益于高光强， 查，所使用的