第四章晶体管和放大器电路.ppt

4.1 半导体三极管;4.1.1 BJT的结构简介; 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。;集成电路中典型NPN型BJT的截面图; 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏 集电结反偏;2. 电流分配关系; ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。;3. 三极管的三种组态;共基极放大电路; 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;4.1.3 BJT的V-I 特性曲线;饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。;(1) 共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB ≈IC / IB ? vCE=const;1. 电流放大系数 ; 2. 极间反向电流; (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ;(1) 集电极最大允许电流ICM; 3. 极限参数;4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响;习 题;2、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100;3、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？ ;4、 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问： （1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？; 5、 有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？ ; ;6、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。;管号;7、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。;4.2 共射极放大电路的工作原理;4.2.2 基本共射极放大电路的工作原理;4.2.2 基本共射极放大电路的工作原理;4. 3 放大电路的分析方法;4.3.1 图解分析法;4.3.1 图解分析法;? 在输出特性曲线上，作出直流负载线 VCE=VCC－iCRc，与IBQ曲线的交点即为Q点，从而得到VCEQ 和ICQ。;? 根据vs的波形，在BJT的输入特性曲线图上画出vBE 、 iB 的波形;? 根据iB的变化范围在输出特性曲线图上画出iC和vCE 的波形;? 共射极放大电路中的电压、电流波形;3. 静态工作点对波形失真的影响;饱和失真的波形;共射极放大电路;4. 图解分析法的适用范围;1.交流负载线的画法;例1：作出图（1）所示电路的交流负载线。已知特性曲线如图（2）所示，Ucc=12V，Rc=3千欧，RL=3千欧，Rb=280千欧。 ;解：（1）作出直流负载线，求出点Q。??? （2）求出点Ucc。Ucc=Uce+IcRL=6+1.5*2=9V??? （3）连接点Q和点Ucc即得交流负载线（图中黑线即为所求）;4.3.2 小信号模型分析法;把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效成一个线性电路，就是放大电路的微变等效电路，然后用线性电路的分析方法来分析，这种方法称为微变等效电路分析法。等效的条件是晶体管在