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3.2光-检测器 * * 3.2.1光电二极管工作原理 光电二极管(PD)把光信号转换为电信号的功能， 是由半导体PN结的光电效应实现的。   如3.1节所述，在PN结界面上，由于电子和空穴的扩散运动，形成内部电场。内部电场使电子和空穴产生与扩散运动方向相反的漂移运动，最终使能带发生倾斜， 在PN结界面附近形成耗尽层如图3.19(a)。当入射光作用在PN结时，如果光子的能量大于或等于带隙(hf≥Eg)， 便发生受激吸收，即价带的电子吸收光子的能量跃迁到导带形成光生电子 - 空穴对。 在耗尽层，由于内部电场的作用，电子向N区运动，空穴向P区运动， 形成漂移电流。 在耗尽层两侧是没有电场的中性区，由于热运动，部分光生电子和空穴通过扩散运动可能进入耗尽层，然后在电场作用下， 形成和漂移电流相同方向的扩散电流。漂移电流分量和扩散电流分量的总和即为光生电流。当与P层和N层连接的电路开路时，便在两端产生电动势，这种效应称为光电效应。 当连接的电路闭合时，N区过剩的电子通过外部电路流向P区。同样，P区的空穴流向N区， 便形成了光生电流。 当入射光变化时，光生电流随之作线性变化，从而把光信号转换成电信号。这种由PN结构成，在入射光作用下，由于受激吸收过程产生的电子 - 空穴对的运动，在闭合电路中形成光生电流的器件，就是简单的光电二极管(PD)。  如图3.19(b)所示，光电二极管通常要施加适当的反向偏压，目的是增加耗尽层的宽度，缩小耗尽层两侧中性区的宽度，从而减小光生电流中的扩散分量。由于载流子扩散运动比漂移运动慢得多，所以减小扩散分量的比例便可显著提高响应速度。但是提高反向偏压，加宽耗尽层，又会增加载流子漂移的渡越时间， 使响应速度减慢。为了解决这一矛盾， 就需要改进PN结光电二极管的结构。 3.2.2PIN光电二极管 由于PN结耗尽层只有几微米，大部分入射光被中性区吸收， 因而光电转换效率低，响应速度慢。为改善器件的特性，在PN结中间设置一层掺杂浓度很低的本征半导体(称为I)，这种结构便是常用的PIN光电二极管。  PIN光电二极管的工作原理和结构见图3.20和图3.21。中间的I层是N型掺杂浓度很低的本征半导体，用Π(N)表示；两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体，用P+和N+表示。I层很厚， 吸收系数很小，入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子 - 空穴对，因而大幅度提高了光电转换效率。两侧P+层和N+层很薄，吸收入射光的比例很小，I层几乎占据整个耗尽层， 因而光生电流中漂移分量占支配地位，从而大大提高了响应速度。另外，可通过控制耗尽层的宽度w，来改变器件的响应速度。 图3. 21 PIN光电二极管结构 PIN光电二极管具有如下主要特性：  (1) 量子效率和光谱特性。 光电转换效率用量子效率η或响应度ρ表示。量子效率η的定义为一次光生电子 -空穴对和入射光子数的比值  响应度的定义为一次光生电流IP和入射光功率P0的比值  ρ= 式中， hf为光子能量， e为电子电荷。  量子效率和响应度取决于材料的特性和器件的结构。 假设器件表面反射率为零，P层和N层对量子效率的贡献可以忽略， 在工作电压下，I层全部耗尽，那么PIN光电二极管的量子效率可以近似表示为 图 3.22光电二极管响应度ρ、量子效率 与波长λ的关系式中，α(λ)和w分别为I层的吸收系数和厚度。由式(3.15)可以看到，当α(λ)w1时，η→1，所以为提高量子效率η， I层的厚度w要足够大。量子效率的光谱特性取决于半导体材料的吸收光谱α(λ)，对长波长的限制由式(3.6)确定，即λc=hc/Eg。图3.22示出量子效率η和响应度ρ的光谱特性，由图可见，Si适用于0.8~0.9μm波段，Ge和InGaAs适用于1.3~1.6 μm波段。响应度一般为0.5~0.6 (A/W)。 图3-22 PIN光电二极管相硬度、 量子效应率 与波长 的关系 (2) 响应时间和频率特性。 光电二极管对高速调制光信号的响应能力用脉冲响应时间τ或截止频率fc(带宽B)表示。对于数字脉冲调制信号，把光生电流脉冲前沿由最大幅度的10%上升到90%，或后沿由90%下降到10%的时间，分别定义为脉冲上升时间τr和脉冲下降时间τf。当光电二极管具有单一时间常数τ0时，其脉冲前沿和脉冲后沿相同，且接近指数函数exp(t/τ0)和exp(-t/