复旦集成电路工艺课件-08程序.ppt

*/39 3、有限源扩散：杂质总量恒定为QT 在整个扩散过程中，预淀积的扩散杂质总量作为扩散的杂质源，不再有新源补充。如先期的预淀积扩散或者离子注入一定量的杂质，随后进行推进退火时发生的高温下扩散。 初始条件： 边界条件： 得到高斯分布 Cs Delta 函数 */39 2）扩散结深 1）表面浓度Cs随时间而减少 3）浓度梯度 在p－n结处 浓度梯度随着扩散深度（结深）增加而下降 A随时间变化 */39 相同表面浓度归一化后，两种分布的比较 —瞬时间，二者相似 */39 高斯函数分布 推进(drive-in)退火扩散 扩散时间越长，扩散越深，表面浓度越低。 扩散时间相同时，扩散温度越高，表面浓度下降越多。 用于制作低表面浓度的结和较深的p-n结。 t1 t2 t3 t1t2t3 CB */39 多步退火（推进）过程（Multiple drive-in process） 当扩散系数相同时， 当扩散系数不同时， (Dt)eff 用来衡量扩散过程的热过程（thermal budget） 由于扩散系数成指数随温度增加，因此热过程主要由最高温度下的扩散来决定，别的一些步骤在决定扩散总量时可以忽略。 预淀积控制剂量 恒定剂量推进退火 */39 二步扩散 第一步 为恒定表面浓度的扩散（Pre-deposition） （称为预沉积或预扩散） 控制掺入的杂质总量 第二步 为有限源的扩散（Drive-in），往往同时氧化 （称为主扩散或再分布） 控制扩散深度和表面浓度 */39 因为 当 时，最后的杂质浓度分布为 二步扩散的两种极端情况 */39 余误差函数分布（erfc） 表面浓度恒定 杂质总量增加 扩散深度增加 高斯函数分布（Gaussian） 表面浓度下降(1/?t ) 杂质总量恒定 结深增加 关键参数 Cs（表面浓度） xj （结深） Rs（薄层电阻） */39 本节课主要内容 1、掺杂工艺一般分为哪两步？结深？薄层电阻？固溶度？ 2、两种特殊条件下的费克第二定律的解及其特点？特征扩散长度？ 预淀积＋退火。预淀积：气固相预淀积扩散或离子注入。Rs：表面为正方形的半导体薄层（结深），在电流方向所呈现的电阻。单位为 ?/?。反映扩散入硅内部的净杂质总量。固溶度：在平衡条件下，杂质能溶解在硅中而不发生反应形成分凝相的最大浓度。 表面浓度恒定，余误差函数分布（erfc）: 表面浓度恒定，杂质总量增加，扩散深度增加 杂质总量恒定，高斯函数分布（Gaussian）：表面浓度下降，结深增加 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * * INFO130024.02 集成电路工艺原理 第六章 扩散原理 (上) INFO130024.02 集成电路工艺原理 第六章 扩散原理 (上) */39 集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 */39 大纲 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 */39 掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状（doping profile）。 MOSFET：阱、栅、源/漏、沟道等 BJT：基极、发射极、集电极等 掺杂应用： B E C p p n+ n- p+ p+ n+ n+ BJT p well NMOS */39 杂质分布形状（doping profile）举例 */39 掺杂过程 气/固相扩散 离子注入 或 退火 预淀积＝ 优点 缺点 预淀积控制剂量 恒定剂量推进退火 离子注入 气/固相扩散 室温掩蔽 无损伤掺杂 精确剂量控制 1011～1016/cm2剂量 精确的深度控制 高浓度浅结形成 灵活 损伤错位会导致结漏电 需要长时间驱入退