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模拟电子技术基础 * * * 第4章 集成运算放大电路 第四章 集成运算放大电路 4.1 集成运算放大电路概述 4.2 集成运放中的电流源电路 4.3 集成运放电路简介 4.4 集成运放的性能指标及低频等效电路 4.5 集成运放的种类及选择 4.6 集成运放的使用 将T、D 、R 及连线制作在同一块半导体基片上即成集成电路。 4.1.1 集成运放的电路结构特点 一、不能做大C、L，只能采用直接耦合方式。 二、为克服温漂，采用差分放大电路。 三、用管子构成的恒流源代替大R及设置Q。 四、采用复合管改善单管的性能。 4.1.2 集成运放的组成及各部分的作用 高放大倍数，直接耦合多级放大器。 4.1 集成运算放大电路概述 输入级 中间级 输出级 偏置电路 uP uN uO Aod uO uP uN + - 图4.1.1 集成运放电路方框图 图4.1.2（a）集成运放的符号 一、输入级：采用差分放大电路，两个输入端，减少温漂。 二、中间级：提供较高的电压放大倍数，共射放大电路，复 合管放大，有源负载，放大上千倍。 三、输出级：提供一定的电压、电流变化幅度，互补对称输 出，带负载能力强。 四、辅助环节：偏置电路（提供各级静态电流）；电平偏移 电路（调节各级电压配合，使输入端对地电压为0时，输 出端对地电压也为0 ）；短路保护（输出端短路时保护管 子）。 4.1 集成运算放大电路概述—4.1.2组成及各部分作用 4.1.3 集成运放的电压传输特性 uO=f(ui) 线性区 非线性区 0 uP uo 图4.1.2（b） 集成运放的电压传输特性 差模开环放大倍数大于105，开环无法正常放大。Ui=28μv即饱和。 4.1 集成运算放大电路概述—4.1.3集成运放的电压传输特性 有镜像电流源、微电流源、威尔逊电流源、比例 电流源、多路电流源等，下面以镜像电流源为例。 4.2 集成运算中的电流源 例：镜像电流源 管子处于临界饱和状态，放大边缘。 T0 T1 R +VCC IR IC1 IC0 IB0 IB1 2IB 具有温度补偿作用 4.3 集成运放电路简介 通用型 集成运放 双极型 单极型 F007(μA741)：恒流源，横向PNP， 反向击穿电压高。 F324(LM324)：有源负载，Aod↑。 输入阻抗高； 电源电压范围宽； 占芯片面积小，集成度高。 4.3 集成运放电路简介 4.4 集成运放的性能指标及低频等效电路 主要有： 1、开环差模增益Aod ： 通常在100dB左右。 2、共模抑制比KCMR： 〉80dB。 3、差模输入电阻rid： 〉2MΩ。 4、最大共模输入电压UIcmax： 超过则工作不正常，饱和。 5、最大差模输入电压UIdmax： 超过则反向击穿。 6、-3dB带宽fH： Aod 下降到0.707时的信号频率。 7、转换速率SR： SR=∣duo/dt ∣max， 对信号变化速度的适应能力。 理想运放： Aod →∞、 KCMR →∞、 rid →∞、 fH →∞， 其余为0。 4.4 集成运放的性能指标及低频等效电路 4.5 集成运放的种类及选择 一、性能指标分类 通用型：无特殊要求的电路，性能指标如表4.5.1所示。 包括双极型、CMOS型、 BiFET型（双极型--场效应管型）。 BiFET型：逻辑部分采用CMOS结构，输出级采用双极型三 极管。它兼有CMOS低功耗和双极型电路低输出内阻的优点。 特殊型：高阻型、高速型、高精度型、低功耗型。 此外：高压型、大功率型。 二、供电电源分类 双电源型、单电源型 三、可控性分类 可变增益运放、选通控制运放 4.4 集成运放的种类及选择 4.6 集成运放的使用 一、管脚不要接错，尤其是正、负电源端，否则会被烧毁 7 6 5 μA741 1 2 3