兰州交通大学模拟电子技术试卷A.docVIP

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  • 2017-07-23 发布于河南
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兰州交通大学模拟电子技术试卷A

学院(系) 专业 2007 级 班 学号 姓名 …………………………密…………………………封………………………线………………………… 兰州交通大学 模拟电子技术基础 课程试卷(A) 课程号 2008/2009学年 第 学期 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 复核人 得分 解释名词术语或回答问题 (1-8每空1分,9-12每小题 2分,共20分) 要使三极管起正常放大作用,其发射结必须加 偏置,集电结必须加 偏置。(a.正向,b.反向) N型半导体中多数载流子是 ,P型半导体中多数载流子是 。(a.电子,b.空穴) 放大电路高频时放大倍数下降,主要是因为 的影响:低频时放大倍数下降,主要是因为 的影响。 (a.耦合电容和旁路电容,b.晶体管的极间电容和分布电容,c. 晶体管的非线性)。 共模抑制比KCMR是 (a.差模输入信号与共模输入信号之比,b. 差模放大倍数与共模放大倍数之比,c.交流放大倍数与直流放大倍数之比。) 差动放大电路是为了

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