cdwo4、csi( tl)和pbwo4晶体在9mev工业ct中探测效率比较 detection efficiency study of cdwo4, csi (tl) and pbwo4 for 9 mev industrial ct.pdfVIP

第31卷第1l期 核电子学与探测技术 V01．31No．11 2011年11月 NuclearElectronicsDetection Nov． 201l Technology MeV 工业CT中探测效率比较 张爱东，李 炬，孙灵霞，周 瑛 (中国工程物理研究院，四川621900) 摘要：为找出更适合于9MeV加速器工业CT系统应用的闪烁晶体，对常用的工业cT闪烁晶体 Cdw0。、csI(r11)、Pbw0。在系统上进行了实验。利用CCD相机、准直器、闪烁晶体等组成探测系统，在同 mm～45 一实验条件下对截面积相同，长度为25 mm的csI(，11)、cdw0。、PbwO。晶体在同一位置的探测 计数进行反复测量，得到不同晶体长度对应探测计数图。实验结果表明：不同晶体材料探测效率不同， 闪烁晶体在未包裹反光膜状态，35mm长度csI(n)探测效率最好，而在包裹反光膜状态下45mm长度 cdw04探测效率最好。 关键词：工业CT；CdW04；CsI(11)；PbW04 391 A 中图分类号：TP 文献标识码： 文章编号：0258JD934(2011)11．1202旬3 闪烁晶体探测器是x射线工业CT中应用 在实验中选用晶体材料为CdwO。、csI(r11)，另 最广泛的探测器类型，主要由闪烁晶体和光电 外，对新一代闪烁晶体PbwO。[51也进行实验。 转换器件组成…。在工业CT扫描过程中，当 高富强¨1等在低能x射线工业cT系统上对 射线源发出的、透过被检工件后衰减了的射线 cdwO。、CsI(-11)探测效率进行了比较研究，得 照射到闪烁晶体上，闪烁晶体材料便发出荧光， 到CsI(T1)比CdwO。更适合作低能x射线探测 这荧光被后端的光电转换器接收并转变成电信 器闪烁晶体材料结论。本实验在9MeV工业 号，经过图像重建和处理后，在显示器上显示物 CT系统上进行，利用准直器、闪烁晶体、CCD 体的断层图像【2qJ。李玉兰【4o等提出闪烁晶体 相机等组成探测器系统，在同一实验条件下对 材料的物体特性、尺寸及与光电二极管的光谱 截面积相同，沿x射线方向长度为25—砌一45 匹配度等都会影响探测器性能，在本实验中也 发现了相同结果，同时还发现探测器性能还与 置的探测效率进行比较。结果表明闪烁晶体在 闪烁晶体使用状态，如晶体外端是否包裹有反 未包裹反光膜状态，35mm长度CsI(T1)探测 光膜等有关。 效率最好，而在包裹反光膜状态下则是45mm 工业CT中应用广泛的闪烁晶体材料为无 长度CdwO。探测效率最好。 机闪烁晶体，如NaI(T1)、CdwO。、csI(n)、BGO 1弱光探测系统设计 等。其中BGO更多应用于医用cT，而NaI(T1) 易潮解，必须将其密封包装才能长期使用，因此 建立工业CT弱光探测系统是探测器效率 研究实验的基础。弱光探测系统由准直器、专