pin硅光电二极管用于γ射线探测的试验研究 experimental study of pin photodiode for γ ray detection.pdfVIP

第29 卷 第8 期 核 技 术 Vol. 29, No.8 2006 年8 月 NUCLEAR TECHNIQUES August 2006 PIN 硅光电二极管用于 γ射线探测的试验研究 1 1 1 2 杨世明 龚光华 邵贝贝 李 金 1 （清华大学工程物理系 北京 100084 ） 2 （中国科学院高能物理研究所 北京 100049 ） 摘要 在X 、γ射线的剂量或剂量率测量场合，常用到PIN 硅光电二极管。比起传统的电离室等，它有体积小、 灵敏度高、成本低、不需要高压等优点；与计数管、闪烁探测器相比，其电流输出的特性可以避免脉冲场下 的死时间问题。但大剂量照射造成的辐射损伤是影响其性能的最大因素。以XRB100s-CB380 为例，通过试验 研究了 PIN 硅光电二极管的特性，包括灵敏度、偏压影响、温度补偿、辐射损伤及退火等，并简单介绍了实 际应用中对输出电流信号的处理方法。 关键词 PIN 硅光电二极管，累积剂量，暗电流，辐射损伤，剂量率 中图分类号 TL8 PIN 硅光电二极管是在硅二极管P 层和N 层之 PIN 硅光电二极管用于X 或γ射线探测时的一些试 间加入一层高阻的本征半导体层（I 区）而构成的。 验研究结果。 在内建电场的作用下，I 区处于耗尽状态，大大增 加了灵敏体积，提高了灵敏度。PIN 硅光电二极管 1 试验方案 主要用途有：与各种晶体闪烁体配合，利用脉冲输 测量选用的PIN 硅光电二极管为芬兰地太公司 出方式测量能谱[1] ；电流输出方式用于X 或γ射线 生产的 XRB100s-CB380 ，其灵敏区域表面积为 的剂量率及累积剂量测量；另外还可以组成阵列用 2 1cm ，厚度为380μm ；入射表面覆盖一层阻光型的 于辐射成像领域。 环氧树脂窗，可以有效防止可见光的影响，并能滤 当X 或γ射线穿过PIN 硅光电二极管的灵敏区 除4keV 以下低能X 射线；另外，其内部集成的保 域（耗尽层）时，光子与物质相互作用损失掉部分 护环可以降低约一半暗电流[5] 。放射源为中国计量 或全部能量，引起价电子跃迁，在灵敏区域产生电 60 科学研究院的 Co 源，通过滑行导轨调节PIN 硅光 子－空穴对；在内建电场的作用下，自由电子和空 电二极管与放射源的距离获得不同的瞬时剂量率， 穴分别向 N 极和 P 极漂移，形成信号电流。美国 最高可达0.20Gy/min 左右。其中剂量率通过空气电 SLAC 的Babar 探测器[2]和日本KEK 的Belle 探测 离室测定，其误差控制在±5% 以内，空气电离室和 器[3]都是利用这一原理来测量其硅顶点探测器的辐 PIN 硅光电二极管由于安装位置不同引起的误差不 照本底。另外，合肥国家