半导体桥动态阻抗的试验研究 study on dynamic resistance of semicoductor bridge.pdfVIP

Materials 爆 破 器 材 Explosive 第36卷第2期 半导体桥动态阻抗的试验研究 祝明水① 何 碧① 胡美娥@ 蒋 明① ①中国工程物理研究院化工材料研究所(四J11绵阳，621900) ②中国工程物理研究院流体物理研究所(四川绵阳，621900) [摘要]利用电容放电加载，通过测试半导体桥两端电压以及流过半导体桥的电流随时问的变化曲线，获得了 半导体桥动态阻抗随输入能量变化的曲线。根据动态阻抗一能量曲线以及半导体桥作用过程，提出半导体桥动态阻 抗与输入能量之间的关系应分四段表示，分别对应于阻抗正温升、阻抗负温升和熔化、汽化以及等离子体产生等几 个阶段，并且分别可用线性公式和指数衰减公式表示。试验结果表明，在高加载速率、无能量损失情况下，所提出的 四段式能够很好地拟合试验确定的半导体桥动态阻抗-输入能量曲线。 [关键词]半导体桥 动态阻抗 电容放电 四段函数 [分类号]TD235。22 1 引言 数系数。 半导体桥火工品与传统热桥丝火工品相比，具 通过分析实验动态阻抗一能量曲线以及半导体 有发火能量低，但安全级别高、作用迅速等特点。这 桥作用过程，认为半导体桥动态阻抗与输入能量间 些优良的特点使其在军事和民用领域得到了广泛的 的函数关系很难用式(1)的两段式表示，而应分为四 应用，也将其电学性能的仿真模拟提上了日程。对半 段，分别对应于阻抗正温升、阻抗负温升和熔化、汽 导体桥进行电学性能模拟，首先必须了解半导体桥 化以及等离子体产生等几个阶段，具体可以表述为： 阻抗的动态变化特性Ⅱ]。但资料表明，国内还没有开 fAⅣ+B(阻抗正温升阶段) 展过这方面的研究。因此，本文对半导体桥的动态阻 抗进行了实验研究，并提出了与国外研究结果(2]不 R_{嘉；篡襄萎釜尹升和熔化阶段)(2，l Fw+G(汽化阶段) … 同的描述半导体桥动态阻抗与输入能量之间的四段 【日e一肼+，(等离子体产生阶段) 式中 A～，——与半导体桥性质有关的常数系数。 式函数。 采用电容放电加载，可测试半导体桥两端的电 2基本理论 压以及通过半导体桥的电流随时间的变化曲线，从 研究表明‘引，半导体桥在电输入加载过程中，其 而确定半导体桥阻抗随时间的变化曲线R(￡)以及 阻抗会发生比一般金属桥(箔)更为复杂的变化。这 输入半导体桥的能量随时间的变化曲线Ⅳ(f)。根据 种复杂性是由半导体材料特殊的阻抗温度特性决定 电学原理，某时刻输入半导体桥的能量可表示为： 的。在电加载的初始阶段，电热效应引起的温升使半 导体材料阻抗率增大，从而使半导体桥的阻抗随之 w=胁出 (3) 增大。但温度升至800K后，其阻抗反而随着温度的 式中“——半导体桥两端的电压； 升高而降低。这种阻抗的迅速下降，使电压加载条件 i——流过半导体桥的电流。 下的电热转换效率也随之迅速增高，温度也随之增 高，从而迅速产生熔化、汽化，最终半导体蒸汽在强 电场作用下产生高温等离子体。 有关常数系数以及分段条件。 文献[2]认为假设输入能量全部用于加热半导