薄膜非晶硅微晶硅叠层太阳电池的研究 investigation on a-siμ c-si tandem solar cells.pdfVIP

第26卷第2期 太阳能学报 V01．26．No．2 2005年4月 ACTAENERGIAESOLARISSINICA ApL，2005 文章编号：0254删6(2∞5)02m1砸羽 薄膜非晶硅／微晶硅叠层太阳电池的研究 薛俊明，麦耀华，赵 颖，张德坤， 韩建超，候国付，朱 锋，张晓丹，耿新华 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津300071) 摘要：采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF．PEcVD)技术制备非晶硅顶电池，采用甚高频等离子体增强 化学气相沉积(VHF—PECVD)技术制备微晶硅底电池，初步优化研究了薄膜非晶硅／微晶硅叠层太阳电池顶电池 与底电池的本征吸收层厚度匹配与电池电流匹配，以及氧化锌／金属复合背反射电极对电池的作用。研制出了面 积为1．0cm2效率达9．83％的薄膜非晶硅／微晶硅叠层太阳电池。 关键词：叠层电池；微晶硅；非晶硅 中图分类号：TK513 文献标识码：A 池，是目前国内外研究的热点方向。 0 引 言 本文采用RF．PEcVD技术制备非晶硅顶电池， 在光伏电池领域，硅基薄膜太阳电池因其原材 料储量丰富、无污染、制备工艺简单、便于大面积 了薄膜非晶硅／微晶硅叠层电池，并初步优化研究 连续化生产等优点，受到国内外专家的广泛关注。 了顶电池与底电池的本征吸收层厚度匹配与电流匹 而传统的硅基薄膜太阳电池，即薄膜非晶硅太 配及znO／金属复合背反射电极的作用，制备出了 阳电池，因存在由于s—w效应…而引起的光致衰 面积为1．Ocm2效率达9．83％的非晶硅／微晶硅叠 退问题，使电池的稳定性变差，尤其是本征吸收层 层太阳电池。 较厚的单结电池，电池衰退可达30％以上，严重 1 实验 影响了薄膜非晶硅电池的大面积推广应用。 新型的薄膜微晶硅既具有硅基薄膜太阳电池制 备工艺简单、便于大面积连续化生产等优点，更具 有晶体硅带隙小、稳定性高的特点，是制备薄膜太 积系统中采用13．56MHz的标准射频激发源制备非 阳电池的理想材料[23，4]。薄膜非晶硅／微晶硅叠层 电池，即以非晶硅为顶电池，以微晶硅为底电池的 叠层电池，是目前获得高效率高稳定性硅基薄膜太 阳电池的最佳途径。这是因为，叠层电池的非晶硅 子电池的本征吸收层较原来的单结电池的吸收层 薄，可以抑制s．w效应的作用，大大提高电池的 用13．56MHz的标准射频激发频率。顶电池和底电 稳定性；以微晶硅为底电池可以将硅基薄膜太阳电 池都制备完成后，直接蒸发金属电极，或溅射 池的红光响应边由非晶硅电池的700nm扩展到微 晶电池的l100nm，大大提高电池对太阳光的光谱合背反射电极。电池面积1．ocm2。实验中制备了 收集范围口．3，4J。因此，薄膜非晶硅／微晶硅叠层电 本征吸收层厚度不同的非晶硅顶电池和微晶硅底电 收稿日期：2004旬3·16 基金项目：国家重点基础研究发展规划973项目(02，03) 万方数据万方数据 2期 薛俊明等：、薄膜非晶硅／微晶硅叠层太阳电池的研究 167 池，以研究顶电池和底电池的本征吸收层厚度匹配 对已经制备完成并暴露过大气的顶电池表面进 与电流匹配。 行H等离子体处理很有必要的。本文分别对不 2结果与讨论 晶硅叠层电池的电池性能进行了比较，结果表 2．1 H处理对叠层电池性能的影响 因本文中叠层电池的顶电池和底电池是在