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首先非常感谢TI和deyisupport一直以来给我们学习者和开发者提供这么多机会！ 学习DSP有一段时间了！一直都是借用的TI 以TMS320F2812为主芯片的一块板子上实现的，因为使用时间不能保障，学习进度有点慢， 前一段时间主要熟悉了存储器映射结构，GPIO的控制，看门狗，ADC，SPI，学习中是通过在线，在RAM中运行的。 做完上面后，需要将程序固化，就要用到FLASH操作了！ 了解一下TMS320F2812的存储模式：采用哈佛总线结构，具有统一的存储模式，包括4M 可寻址程序空间和4M 可寻址数据空间。同时片内具有128 ×16 位的FLASH 存储器和18K ×16 位的SRAM，以及4K×16 位的引导ROM。最大支持外扩512K×16 位的SRAM 和512K×16 位的FLASH。具有两个事件管理器（EVA、EVB）以及外设中断模块（PIE），最大支持96 个外部中断。TMS320F2812 的外部存储器接口（XINTF）被映射到5 个独立的存储空间。2812烧写flash后让程序运行在RAM中的方法F2812的程序仿真状态下调试好了以后，要移植到脱机运行并不难，一个很简单的方法，打开外围接口例程中的FLASH工程，把文件添加到这个工程中去用F2812.CMD更换原来你的程序里面的CMD.编译通过后，通过烧写插件下载，就可以脱机运行了。  2812烧写flash后让程序运行在RAM中的方法 1、CMD文件：需要开一个专用的RAM区（如RAML1）用来放程序代码，开一个专用的flash区（如FLASH_4）放置这些关键代码；具体如下：ramfuncs:? ?? ?LOAD = FLASH_4? ?? ?? ?? ?PAGE = 0? ?? ?? ?? ?? ?? ?RUN = RAML1? ?? ?? ?? ?? ? PAGE = 1? ?? ?? ?? ?? ?RUN_START(_RAM_RAMFUN_BEGIN),? ? /*Define the run_Begin Adrress*/? ?? ?? ?? ?? ?? ?LOAD_START(_FLASH_RAMFUN_BEGIN),? ?? ?? ?? ?? ?? ?LOAD_END(_FLASH_RAMFUN_END)2、转移代码：void InitRamFuncs(void){? ?? ???// Copy the Codes from the Flash to the Ram Sections.?memcpy((void*)RAM_RAMFUN_BEGIN,(void*)FLASH_RAMFUN_BEGIN,FLASH_RAMFUN_ENDFLASH_RAMFUN_BEGIN);?}在初始化完芯片后运行这段程序。 2812烧写flash时 .cmd文件中将.text分配在FLASH中