不同有源层厚度的多晶硅薄膜晶体管特性研究 characteristics of polysilicon thin film transistor with different active layer thickness.pdfVIP

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2017-07-23 发布于上海
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不同有源层厚度的多晶硅薄膜晶体管特性研究 characteristics of polysilicon thin film transistor with different active layer thickness.pdf

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不同有源层厚度的多晶硅薄膜晶体管特性研究 characteristics of polysilicon thin film transistor with different active layer thickness

第33卷第4期兵器材料科学与工程 V01．33No．4 2010年07月 ORDNANCEMATERIALSCIENCEANDENGINEERING July，2010 不同有源层厚度的多晶硅薄膜晶体管特性研究李阳 (五邑大学应用物理与材料学院，广东江门529020) 摘要多晶硅薄膜晶体管(poly—Si7rFr)因较非晶硅薄膜晶体管(a—Si7Ⅱ叮)相比具有更高的场效应迁移率而成为目前显示界研究的热点。在制备多晶硅薄膜及其Ⅱ叮器件的过程中。发现不同厚度的多晶硅薄膜具有不同的电学特性。经分析。不同厚度的多晶硅薄膜有源层n叩器件也势必表现出不同的器件电学特性。为此，制备3种多晶硅薄膜有源层厚度的 TFr器件，比较且优化器件的各种电学特性一场迁移率、阈值电压、亚阈值幅摆、电流开关比等，最后确定TF’r器件有源层的最佳厚度。关键词薄膜晶体管：多晶硅薄膜有源层：电学特性中图分类号TN321+．93文献标识码A 文章编号1004—244x(2010)04一O004—03 Characteristicsof thinfilmtransistorwith differentactive thickness polysilicon layer LIYang of andMatefiMs (School 529020，China) ApphedPhysics Science，WuyiUniversity，Jiangmen Abmmet hot in of to becomethe thefield due field—effect thanthatofa- Poly·Si’I耵has topic displaycurrentlyhigher mobility Si thefabricationof siliconthinfilmanditsⅡTdevices．itisobservedthat silicon TFr．During polycrystalline polycrystalline thinfilmshowesdifferentelectrical considerthat thinfilmⅡ叩deviceswithdifferent properties．Afteranalysis．we polysilicon active thicknesstireboundtoshowdifferentelectrical ofdevices．Therefore．wethreekindsof’n叩 layer properties prepared deviceswithdifferent siliconthinfilmactive and variouselectrical thickness，After polycrystalline layer comparingoptimizing ofthe device，such酗field