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第15次课：存储器概述 内容：概述、RAM、ROM 重点：存储容量、地址译码、数据接口、控制总线 难点：理解各种存储器的接口方法 作业： 5.1、5.2 第5章 半导体存储器 5．1 存储器概述 5．1．1 存储器的分类 1．按存储介质分类 根据存储介质的材料及器件的不同，可分为磁存储器、半导体存储器及光存储器。 2．按在计算机中的作用分类 根据存储器在计算机中的作用不同，可分为主存储器（简称为主存）和辅助存储器（简称为辅存）两大类。 主存储器用于存放计算机当前运行时所需要的程序和数据，直接和CPU发生联系，所以要求其存取信息的速度要快。由于主存储器与CPU的关系密切，故又称为内存储器（简称为内存）。 辅助存储器用于存放当前暂不参与运行的程序和数据，以及一些需要永久性保存的信息。辅存不直接和CPU发生联系，故又称为外存储器（简称为外存）。辅存只与主存储器进行批量数据交换，当其信息需要处理时，要先调入内存，再由CPU处理。所以要求其存储容量要大（又称为海量存储器），但存取速度可以稍慢些。 3．按信息存取方式分类 （1）随机存取存储器（RAM） 通过指令可以随机地、个别地对存储器中的各个存储单元进行读写操作，并且该操作所需的时间基本上是一样的。RAM中的信息在断电后立即消失。 （2）只读存储器（ROM） ROM中的信息是在芯片生产时预先写入的，用户在使用时对其内容只能读出不能写入，断电后它的信息不会丢失。ROM通常用于存放固定不变的程序，以及各种常数、函数表等。 计算机中的主存储器通常由RAM和ROM组成。 （3）串行访问存储器 在对串行访问存储器中的信息进行读写时，需要顺序地访问。访问指定信息所花费的时间与信息所在的地址或位置有关。 串行访问存储器又可分为顺序存取存储器SAM和直接存取存储器DAM。SAM是典型的串行访问存储器，它的信息是以顺序方式从存储介质的始端开始写入或读出。DAM是部分串行访问存储器，它介于顺序存取和随机存取之间。 存储器的分类方式还有按制造工艺、按应用功能等，在此从略。 5．1．2 存储器的性能指标 1．存储容量 存储容量是指存储器可以储存的二进制数的位数（bit），通常是以存储器能存储的字数乘以字长表示，即：存储容量=字数×字长。 2．存取速度 存取速度是反映存储器工作速度的指标，常用存储器存取时间和存储周期来表示。 存取时间：指从启动一次存储器读／写操作到完成该操作所经历的时间。 存储周期：指启动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔。 3．错误校验 为确保存储器存储信息的正确性，常用的数据错误校验方式有： 奇偶校验（Parity Check）只能发现错误，不能纠正错误。 ECC校验（ECC——Error Correction Code）可以发现错误，也能纠正错误。 5. 1. 3 存储器的分级组织结构 1．Cache——主存层次 在微机中，主存的速度一般与CPU的速度有一个数量级的差距，为此在CPU和主存之间设置高速缓冲存储器Cache，构成Cache——主存层次。 由于对Cache——主存层次的主要要求是速度要高，所以该层次的管理、调度完全由高速辅助硬件电路来实现。 2．主存——辅存层次 辅存是外部设备的一部分，其编址与主存编址无关。 由于对主存——辅存层次的主要要求是容量要大，所以该层次的管理、调度可由辅助软、硬件来控制。 5．2 随机存储器RAM 5．2．1 RAM的分类 双极型RAM用晶体管触发器作为基本存储电路，故存取速度高，但功耗大，集成度较低。 MOS型RAM是用MOS管制成的RAM，其集成度较高而速度较低。 1．静态RAM（SRAM——Static RAM） SRAM是用MOS管构成的R-S触发器作为基本存储电路，触发器的两个稳态分别表示存储内容为0和1。 SRAM上的信息是易失性、挥发性（Volatile）的。 SRAM的特点是速度快，外围电路简单，但集成度低（存储容量小），功耗大。 2．动态RAM（DRAM——Dynamic RAM） DRAM是用MOS管栅极—衬底间的分布电容来存储信息的，由于存在泄漏电流，电容上储存的电荷（信息）不能长期保存，需要定期进行刷新，因而外围电路比较复杂。显然，DRAM上的信息也是易失性的。 DRAM的特点是集成度高（存储容量大），功耗低，但速度慢，外围电路复杂。 5．2．2 RAM的基本存储电路 1．SRAM六管静态基本存储电路 2．DRAM单管动态基本存储电路 5．2．3 RAM的内部结构 存储体 存储体是存储器储存信息的主体，它由大量的基本存储电路按一定的规则组合而成。这些基本存储电路一般成矩阵排列，排列方法与地址译码方式有关。 2．地址译码 （1）单译码方式 单译码方式的地址译码只使用一个译码器，译码器的一个输出端选