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掺钴氧化钛电极的制备、表征及其光电性能.PDF
第16 卷 第4 期 化 学 物 理 学 报 Vol. 16 ，No. 4
2003 年8 月 CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS Aug. 2003
1003-77 13/ 2003/ 04-307-5
掺钴氧化钛电极的制备、表征及其光电性能*
**
谌 攀， 曹江林， 冷文华 ， 王建明
（浙江大学玉泉校区化学系，杭州 310027 ）
摘 要： 采用溶胶-凝胶法在纯钛片上制备了掺Co 氧化钛薄膜光电极，运用扫描电子显微镜（SEM ）、X 射线衍
射（XRD ）等分析手段对其进行表征，并对其结构和性能的相互关系进行了研究. 结果表明，掺5% Co ，500℃ 热处
理的TiO 电极具有最大的可见光响应. 过量的Co 掺入将析出新相CoTiO ，并促使TiO 由锐钛矿型转变为金红
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石型，使电极光电效应减低. 而高温处理的掺钴TiO 也将析出CoTiO ，对电极光电性能有阻碍作用.
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关键词： 氧化钛电极；钴掺杂；光电性质；可见光；
O64 1 文献标识码：A
中图分类号：
Preparation ，Microstructure and Photoelectrochemical
Properties of Co Doped Titanium Oxide Electrodes *
Shen Pan ， Cao Jianglin ， Leng Wenhua **， Wang Jianming
（Dep artment of Chemistry ，Zhej iang University ，Hangzhou 310027 ）
Abstract The Co doped titanium oxide film was prepared on pure titanium plates by sol-gel dip-coating technique
using Co（ ）metal salts and tetrabutyltitanate （Ti（OC H ））as precursors. The microstructure and photoelectro-
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chemical properties of 5% Co doped-TiO2 film photoelectrode were investigated by scanning electron microscopy
（SEM ），X-ray diffraction ，photocurrent response spectra ，etc. The wavelength of the light source in the experiment
was m
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