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寿命谱结果与二态捕获模型 实验测得的正电子寿命谱可以看作是两个互相独立的表观谱成分?1和?2的迭加，他们在寿命谱中的相对强度分别为I1和I2。 ?1和?2与物理图象中的正电子寿命一般不直接对应相等，而是通过式（4）互相联系。 ?1、?2、I1和I2是实验上可测量的量，从这几个量出发，再利用(4)和(7)式，在作了一些物理上合理的假定以后，原则上可求出我们感兴趣的量如?，?d等。但最简单的结果是立即可求出?f，它就等于平均湮没率?av，?av的定义为： （8） * 二态捕获模型的近似 为了得到一些更简单的关系式，便于分析实验结果，常可采用一些合理的近似： 无逃逸近似（简单捕获模型） 低缺陷浓度近似 * 无逃逸近似 当缺陷捕获势很大时，基本上可忽略正电子的逃逸效应，由式（4）和（7），令逃逸率?=0，即可得常用的简单捕获模型结果。 （9） * 低缺陷浓度近似 当缺陷浓度很低时，?和?都很小，由式（4）和（7）可近似求得如下结果： （10） 式（9）和式（10）中都有这样的结果，即： 式子右边都是由实验可测量的量，因此可求出?值。 * 捕获率?与缺陷浓度C的关系 通常从物理上认为，缺陷对正电子的捕获率?正比于缺陷浓度C，即有： 式中?为单位浓度的缺陷对正电子的捕获率，即比捕获率，它对于某一定材料中的某种缺陷在一定条件下可看作常数。 由实验数据计算得出的?值的变化可反映样品中缺陷浓度的变化。 * 正电子的平均寿命 有时寿命谱中两个寿命成分靠得很近，以致难于用计算机程序将它们分离开来，或者有时希望用一个综合的参数来描述正电子湮没特性，这个参数就是正电子的平均寿命，在二态捕获模型下，可以写为： 将第（9）式代入这个式子中就有： * 实验谱的数据分析 寿命谱解析中所用PositronFit程序的数学模型 多普勒线形参数 * PositronFit程序的数学模型 正电子湮没实验中很大一部分工作在于解析实测谱，其中寿命谱解析中最常用的是PositronFit程序。 该程序的基本思想是假定谱仪的分辨函数可用60Co源同时放出的两个?射线在谱仪上测得的时间谱来表示，这个时间谱可以看成是一个单高斯函数。 实验所得到的正电子寿命谱是1~4个指数衰减曲线之和与仪器分辨函数的卷积再加上一个常数本底。其数学模式如下： * 设湮没率为?j寿命成分的理想谱是下面的指数曲线： 对上式在[0,?]区域积分，可得曲线下面积为I0j/?j，表示该寿命成分的强度。 谱仪分辨函数曲线用归一化高斯函数表示： 其中高斯曲线的标准偏差 与谱仪分辨率的关系为： * 将Ij(t)与P(t)求卷积得 Fj(t)是湮没率为?j的寿命成分对寿命谱的贡献。该寿命成分对第i道计数的贡献Fji为 设寿命谱的本底为B，含有K0个寿命成分，则第i道计数的表达式为 此式是程序拟合时所用的最终表达式。其中，fi是实测寿命谱第i道的统计计数。 * 多普勒线形参数 实验中测得多普勒展宽谱以后，有两种数据处理方法。其一是对所得能谱去卷积从而得到本征谱。其二是最常用的线形参数法。 线形参数法的基本思想是用能谱的各种线形参数来表示实测谱的形状特征，根据线形参数的变化来对样品材料中与缺陷有关的各种问题进行研究。 * 图6、多普勒展宽谱线形参数的定义 * 线形参数的定义 H参数的变化主要受峰中心区域计数的影响，主要反映了正电子与小动量电子（传导电子）湮没的情况。 W参数主要受能峰两翼计数的影响，因而主要反映正电子与高动量电子（核心电子）湮没的情况。 S、D参数综合反映了高动量电子和低动量电子湮没的情况。 * 正电子湮没技术的应用 正电子湮没技术应用已有二十多年的历史。 大量工作集中在发现和观察现象、改进实验技术、提出各种理论模型进行尝试性描述上，至今已跨入致力于物理过程定量或半定量理论与实验研究的阶段。 目前能够用PAT测量空位形成能的纯金属几乎都已测完，并开始进入了稀薄合金（低合金）中空位形成能定量测定的阶段。 对于大多数材料科学中的问题来说，目前尚缺少定量的描述，而新的可能理论模型和实验结果仍在不断地涌现。 * 金属及合金研究中的应用 金属中的点缺陷 非晶态合金 合金相变 氢脆及金属氢化物的研究 * 金属中的点缺陷 形变、疲劳及辐照等手段都能造成金属中产生大量的空位、空位团、位错等缺陷。 PAT能够用来追踪这些缺陷的产生及退火回复过程，这将导致对缺陷浓度、种类、运动激活能、杂质—缺陷相互作用等问题的了解，从而成为金属物理及金属学研究中的重要工具。 * 非晶态合金 人们致力于观察晶态与非晶态的差别，以及正电子湮没参数随晶化过程的变化，包括对非晶态进行中子辐照、冷轧处理等。 实验结果不一致性的主要因素。一方面 ，样品组分及工艺条件中可能存