合肥工业大学 模电 第5章.pptVIP

第5章场效应管及其基本放大电路 ;5.1 场效应管 1. 特点 (1)它是利用改变外加电压产生的电场效应来控制其导电能力的半导体器件。 (2)它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。 (3)它具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点， (4)还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。 (5)在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 ;N沟道;5.1.1 结型场效应管 ; 夹在两个P+N结中间的区域N区,是电流的通道称为导电沟道（简称沟道）。 ;1.结型场效应管工作原理;(1) 当uDS = 0 时， uGS 对导电沟道的控制作用;(2) 当uGS 为UGS（Off)~0中一固定值时, uDS 对漏极电流iD的影响。;G;小结; 2.结型场效应管的特性曲线 ;可变电阻区 uGD UGS(off)时,uGS一定, uDS 较小时,iD随uDS升高而线性增大,d-s间等效为一个电阻。改变uGS可改变等效电阻的阻值。 恒流区 uGD＜ UGS(off) 时,uGS不变时，iD基本不随uDS而改变，故称为恒流区或饱和区,实为放大区。 夹断区 uGS = UGS(off) 时，iD≈O。 ;结型场效应管的工作状态可划分为四个区域。 (a) 可变电阻区 可变电阻区位于输出特性曲线的起始部分，它表示uDS较小、管子预夹断前，电压uDS与漏极电流iD间的关系。 在此区域内有UGS(off) ＜uGS≤0，uDS＜uGS－ UGS(off) 。当uGS一定，uDS较小时，uDS对沟道影响不大，沟道电阻基本不变，iD与uDS之间基本呈线性关系。若|uGS|增加，则沟道电阻增大，输出特性曲线斜率减小。所以，在uDS较小时，源-漏极间可以看作是一个受uGS控制的可变电阻，故称这一区域为可变电阻区。这一特点常使结型场效应管被作为压控电阻而广泛应用。 ; (b) 饱和区(恒流区、线性放大区) 当UGS(off) ＜uGS≤0且uDS≥uGS－ UGS(off)时，N沟道结型场效应管进入饱和区，即图中特性曲线近似水平的部分。它表示管子预夹断后，电压uDS与漏极电流iD间的关系。饱和区的特点是iD几乎不随uDS的变化而变化，iD已趋于饱和，但它受uGS的控制。 |uGS|增加，沟道电阻增加，iD减小。场效应管作线性放大器件用时，就工作在饱和区。 输出特性曲线图中左边的虚线是可变电阻区与饱和区的分界线，是结型场效应管的预夹断点（uDS=uGS- UGS(off) ）的轨迹。显然，预夹断点随uGS改变而变化，uGS愈负，预夹断时的uDS越小。 ;(c) 击穿区 管子预夹断后，若uDS继续增大，当栅-漏极间P+N结上的反偏电压uGD增大到使P+N结发生击穿时，iD将急剧上升，特性曲线进入击穿区。管子被击穿后再不能正常工作。 (d) 截止区(又称夹断区) 当栅-源电压uGSUGS(off)时，沟道全部被夹断，iD≈0，这时场效应管处于截止状态。截止区处于输出特性曲线图的横座标轴附近。 ;(2) 转移特性;转移特性曲线可以根据输出特性曲线绘出。 作法如下：在图所示的输出特性中作一条uDS=10V的垂线，将此垂线与各条输出特性曲线的交点所对应的iD、uGS的值转移到iD-uGS直角坐标系中,即可得到转移特性曲线。;(UGS(off) ＜uGS≤0);5.1.2　绝缘栅型场效应管MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; 在掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并引出两个电极，分别作漏极d和源极s。 在半导体表面制作一层很薄的SiO2绝缘层，在绝缘层上再制作一层铝，引出电极,作为栅极g。 在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的。 ; 代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反。;(1) 工作原理;(b) uDS = 0，0 uGS UGS(th);(d) uDS 对导电沟道的影响 (uGS UT);D;(2) 特性曲线与电流方程;2.N 沟道耗尽型 MOS 管;N 沟道耗尽型 MOS 管特性;三、P沟道MOS管;种 类;种 类;5.1.3　场效应管的主要参数;2.交流参数;3.极限参数;例5.1.1;例5.4.2;解：;;从输出特性曲线可得 uGS ＝10V时d-s之间的等效电阻 (D在可变电阻区，任选一点，如图)