碳化硅晶体生长的分子动力学模拟分析.pdfVIP

摘要 摘要 碳化硅具有带隙宽、热导率高、电子饱和漂移速率大等优异的电学性能， 正展现出巨大的发展潜力和广阔的市场前景，因此近年来对碳化硅的研究非常 热门。本文以碳化硅为研究对象，运用分子动力学模拟方法，首先对比研究了 ME朋Ⅵ势和Terso行势描述的碳化硅在熔化和晶体生长过程方面的异同，选出更 适合碳化硅晶体生长的势函数。然后使用该势函数模拟了不同温度、不同碳浓 度和不同生长面对碳化硅单晶生长的影响，结果表明： (1)ME伽岖势和Terso圩势描述的碳化硅的熔化过程基本相同，不同的是 两者的熔点：Mem“势的体熔点为4250K，热力学熔点为：3338K；TerSofr势 的体熔点为4750K，热力学熔点为3430K。MEAM势的熔点与物理实验结果更 接近。两种势函数描述的碳化硅在晶体生长方面差异很大，Terso行势描述的SiC K．1000 在过冷度为O K的范围内均不能生长，而ME』～M作用下的SiC的晶体在 一定过冷度下可以生长，且过冷度约为400K时晶体生长速率最快。 (2)采用MEAM势函数，对不同温度条件下碳化硅的晶体生长模拟发现： 在温度范围为2loo一3300K内，碳化硅晶体生长速率随温度的升高先是逐渐增大， 到温度为2900K时，碳化硅晶体的生长速率达到最大值，其后，碳化硅晶体的 生长速率随温度的升高而逐渐减少。低于2100K时(1700K)，碳化硅晶体不能 正常长大，高于3300K时(3400K)，碳化硅晶体会出现熔化现象。并从理论上 对温度与碳化硅晶体生长速率之间的关系加以了分析。 (3)采用MEAM势函数，在2900K温度和不同碳的原子浓度条件下模拟 碳化硅晶体生长时发现：碳浓度低于45％时，随着碳浓度的增加，生长速率越 来越快。当碳浓度低至l％时，碳化硅晶体基本不能生长；而当碳浓度超过45％ 时，生长速率会开始降低。 碳化硅晶体不能生长，只是原子级平整的晶面会变成起伏不平的原子面。 关键词：碳化硅；晶体生长；MEAM势函数；分子动力学模拟 ABSTRACT ABSTRACT Ductonle晰deband menllal elec缸on gap，lligll conduc娃V时趾dl鹕e saturationdIjRraleiIl carbideis electrical showiIlggreatp‘删al properties，Silicon broad it rcsearchill tlle 锄d becon圮sahot recent m姒prospects．And years．T搬ng Siliconcarbide硒research of此删 object，tllispapercompared恤di彘rence and也e on也e molecular pote砸al Terso霞potcmialmelting觚dsolidificatio嬲by e珏．ectsofthe concen打ationsand dyl脚_Ilics缸stly．And证Iell，metem讲髓n】res，∞rbon c衲idearcsinmlated、】l，im也ebctcer