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讲座6光电发射装置
第4章 光电发射器件 ;4.1.1 光电发射阴极的主要参数
; 2)????? 积分灵敏度
定义在某波长范围内的积分辐射作用于光电阴极时,光电阴极输出电流Ik与入射辐射通量φe之比
为光电阴极的积分灵敏度Se。即 ,量纲
为mA/W或A/W。在可见光波长范围内的“白光”作用于光电阴极时,光电阴极电流Ik与入射光通量φv之比为光电阴极的白光灵敏度Sv。即Sv= ,
量纲为mA/lm。 ;2.量子效率 ;3. 光谱响应 ;4.1.2 光电阴极材料 ;2. 银氧铯与铋银氧铯光阴极
银氧铯(Ag-O-Cs)阴极是最早使用的高效光阴极。它的特点是对近红外辐射灵敏。制作过程是先在真空玻璃壳壁上涂上一层银膜再通入氧气,通过辉光放电使银表面氧化,对于半透明银膜由于基层电阻太高,不能用放电方法而用射频加热法形成氧化银膜,再引入铯蒸汽进行敏化处理,形成Ag-O-Cs薄膜。
银氧铯光电阴极的相对光谱响应曲线画从图4-1中可以看出,它有两个峰值,一个在350 nm处,一个在800 nm处。光谱范围在300 nm到1200 nm之间。量子效率不高,峰值处约0.5%~1%左右。
银氧铯使用温度可达100℃,但暗电流较大,且随温度变化较快。 ;4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理 ;1、真空型光电管的工作原理
当入射光透过真空型光电管的入射窗照射到光电阴极面上时,光电子就从阴极发射出去,在阴极和阳极之间形成的电场作用下,光电子在极间作加速运动,被高电位的阳极收集,其光电流的大小主要由阴极灵敏度和入射辐射的强度决定。 ;4.2.2 光电倍增管的原理 ;4.2.3 光电倍增管的结构
PMT的入射窗结构
2. 倍增极结构 ; 铜-铍合金(铍的含量为2%)材料也具有二次电子发射功能,不过它的发射系数δ比银镁合金更低些。
新发展起来的负电子亲和势材料GaP[Cs],具有更高的二次电子发射功能,在电压为1000V时,倍增系数可大于50或高达200。 ;斜锗宫眩里牛含精呢寝眠断蛊针蓬福候涎碑寅可询冗糖很深瞄篆笆溜筏秘讲座6光电发射装置讲座6光电发射装置;4.3 光电倍增管的基本特性 ; 2、阳极灵敏度 ; 当考虑到光电阴极发射出的电子被第1倍增极所收集,其收集系数为 ,且每个倍增极都存在收集系数,因此,增益G应修正为 ; 对于非聚焦型光电倍增管, 近似为90%, 要高于 ,但小于1;对于聚焦型的,尤其是在阴极与第1倍增极之间具有电子限束电极F的倍增管,其η≈η ≈ 1,可以用式(4-6)计算增益G。 ;对于锑化铯倍增极材料 ;4.3.3 暗电流 ;2. 热发射
由于光电阴极材料的光电发射阈值较低,容易产生热电子发射,即使在室温下也会有一定的热电子发射,并被电子倍增系统倍增。 ;4. 场致发射
光电倍增管的工作电压高时还会引起管内电极尖端或棱角的场强太高产生的场致发射暗电流。显然降低工作电压场致发射暗电流也将下降。 ;4.3.4 噪声 ;第2级输出的散粒噪声电流为 ;δ通常δ在3~6之间, 接近于1,并且,δ越大, 越接近于1。光电倍增管输出的散粒噪声电流简化为 ;;4.3.5 伏安特性 ;2. 阳极伏安特性 ;4.3.6 线性 ;4.3.7 疲劳与衰老 ;思考题 4 ;习题 4;4.4 光电倍增管的供电电路 ; 如图4-8所示为典型光电倍增管的电阻分压式供电电路。电路由11个电阻构成电阻链分压器,分别向10级倍增极提供电压UDD。 ; 考虑到光电倍增管各倍增极的电子倍增效应,各级的电子流按放大倍率分布,其中,阳极电流Ia最大。因此,电阻链分压器中流过每级电阻的电流并不相等,但是,当流过分压电阻的电流IR远远大于Ia时,即 IR >> Ia时,流过各分压电阻Ri的电流近似相等。工程上常设计IR大于等于10倍的Ia电流。
IR≥10Ia (4-25) ;R=Ubb/IR (4-26) ;3. 末极的并联电容 ;4.4.3 电源电压的稳定度 ;; Iamin=UO/Ra=0.2V /82 kΩ=2.439μA
入射光通量为0.6×10-6lm时的阴极电流为
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