第3章 场效应管与其基本放大电路.pptVIP

 第3章 场效应管及其基本电路;第九讲 场效应管及其放大电路;一、场效应管(Field-Effect Transistors);一、JFET（以N沟道为例）;栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用;漏-源电压对漏极电流的影响 ;g-s电压控制d-s的等效电阻;夹断电压;转移特性;栅极(Gate)，源极(Source)，漏极(Drain)。 在JFET中，源极和漏极是可以互换的。;2、MOSFET (N沟道增强型);MOSFET(N沟道增强型);增强型MOS管uDS对iD的影响;MOSFET(N沟道耗尽型);MOS管的特性;主要参数：一、直流参数，二、交流参数，三、极限参数 一、夹断/开启电压UGS(off)/UGS(th)，饱和漏极电流IDSS，直流输入电阻RGS(DC) 二、低频跨导gm，极间电容Cgs，Cgd， Cds 三、最大漏极电流IDM ，击穿电压U(BR)DS，U(BR)GS，最大耗散功率PDM;3、场效应管工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性;二、场效应管静态工作点的设置方法;2．自给偏压电路;3．分压式偏置电路;三、场效应管放大电路的动态分析;跨导gm;跨导gm;2.基本共源放大电路的动态分析;3.基本共漏放大电路的动态分析;基本共漏放大电路输出电阻的分析;四、复合管;讨论一判断下列各图是否能组成复合管;Ri=? Ro=?;