武汉工程大学电力电子技术(第二章).pptVIP

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
武汉工程大学电力电子技术(第二章)

电力电子技术 第2章 半导体开关器件 刘 健 武汉工程大学 电气信息学院 电气教研室 电 话: Email: 163ted@163.com ;不控器件:电力二极管(伏安特性、基本应用);电力电子器件的概念 电力电子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。 主电路:在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路。 电力电子器件的特征 所能处理电功率的大小,也就是其承受电压和电流的能力,是其最重要的参数,一般都远大于处理信息的微电子器件。 为了实现相关功能,一般都工作在开关状态,因此存在开关的损耗。 由信息电子电路来控制,且需要驱动电路,与之配合 自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件,在其工作时一般都需要安装散热器。 ;通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。 当器件的开关频率较高时,开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。;电力电子器件的系统构成;不控器件:电力二极管;英飞凌公司;Negative ; 正向接法时内电场被削弱,扩散运动强于漂移运动,二极管导通,且等效电阻很小;一般表达式:;电感线圈的高频等效电路;PN节高频等效电路;(1)由正向偏置转换为反向偏置 A、电力二极管并不能立即关断,而是须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力,进入截止状态。 B、在关断之前有较大的反向电流出现,并伴随有明显的反向电压过冲。 延迟时间:td=t3-t2 ,电流下降时间:tf =t4- t3 反向恢复时间:trr=td+ tf 恢复特性的软度: Sr= tf /td,;(2)由零偏置转换为正向偏置 先出现一个过冲UFP,经过一段时间才趋于接近稳态压降,出现电压过冲的原因正向电流的上升会因器件自身的电感而产生较大压降。电流上升率越大,UFP越高。 重点:正向恢复时间tfr ;距峭盔怠灵杂遂剂在沫吸蝉沸素直锨棒哪煌帝绞饯秀扑碎屈篡澳揉霍河备武汉工程大学电力电子技术(第二章)武汉工程大学电力电子技术(第二章);淄澎践采皿侠桑惩盏猿庆慌蝇唾贩卷困苯疯舵摊梅燕唾琼眨瑞什府员吠苟武汉工程大学电力电子技术(第二章)武汉工程大学电力电子技术(第二章);二极管的基本应用 整流 续流 限幅 钳位 稳压;电力二极管的主要参数 正向平均电流IF(AV) 正向压降UF 反向重复峰值电压URRM 最高工作结温TJM 反向恢复时间trr 浪涌电流IFSM 反向饱和电流;IFR: 二极管额定发热所允许的正弦半波电流的平均值。;IFrms:称为最大允许全周期(不是全周波)均方根正向电流。 当二极管流过半波正弦电流的平均值为IFR时,与其发热等效的全周期均方根正向电流。;如手册上某电力二极管的额定电流为100A,即IFR=100 1、则表示允许通过平均值为100A的正弦半波电流; 2、允许通过正弦半波电流的幅值为314A;;求出电路中二极管电流的有效值IFrms ; 求二极管电流定额IFR,等于有效值IFrms 除以1.57; 将选定的数值放大1.5到2倍以保证安全。 ; 按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能,特别是反向恢复特性的不同,介绍几种常用的电力二极管。 (1)普通二极管(General Purpose Diode) 又称整流二极管(Rectifier Diode),多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中。 其反向恢复时间较长,一般在5?s以上 。 其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。 (2)快恢复二极管(Fast Recovery Diode——FRD) 恢复过程很短,特别是反向恢复过程很短(一般在5?s以下),从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100ns以下,甚至达到20~30ns。;(3)肖特基二极管(Schottky Barrier Diode——SBD) 优点: 反向恢复时间很短(10~40ns),正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲;在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小,明显低于快恢复二极管;因此,其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小,效率高。 弱点: 当所能承受的反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求,因此多用于200V以下的低压场合;反向漏电流较大且对温度敏感,因此反向稳态损耗不能忽略,而且必须更严格地限制其工作温

文档评论(0)

xxj1658888 + 关注
实名认证
文档贡献者

教师资格证持证人

该用户很懒,什么也没介绍

领域认证该用户于2024年04月12日上传了教师资格证

1亿VIP精品文档

相关文档