第二章 半导体二极管与其基本电路.pptVIP

第二章 半导体二极管及其基本电路 ;2.1 半导体的基本特性 一、导体、绝缘体和半导体 物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。 物质的导电特性取决于原子结构。 　物质的导电能力通常用电阻率ρ的大小来衡量 。 1.导体：容易传导电流的物质。导体一般为低价元素, 如铜、铁、铝等金属,其最外层电子受原子核的束缚力很小, 因而极易挣脱原子核的束缚成为自由电子。因此在外电场作用下, 这些电子产生定向运动形成电流, 呈现出较好的导电特性。电阻率ρ较小（10－6～10－3）Ω·cm 。 ; 一、导体、绝缘体和半导体 2、绝缘体:几乎不传导电流的物质。如：高价元素(如惰性气体)和高分子物质(如橡胶、陶瓷、石英、塑料等 )。其最外层电子受原子核的束缚力很强, 极不易摆脱原子核的束缚成为自由电子, 所以其导电性极差, 可作为绝缘材料。其电阻率ρ很大（108～1020）Ω·cm 。 ;二、半导体及其相关概念 1、半导体：是导电能力介于导体和绝缘体之间且导电能力会随温度、光照、或掺入某些其他物质而显著变化的物质。其电阻率ρ为10-3～108 Ω·cm，介乎于导体与绝缘体之间。 半导体导电特点：　　 1)纯净的半导体在外界能源（如光照、加热等）的作用下，导电性能显著变化，电阻率ρ 下降、导电能力增强。从而制造出光敏元件、热敏元件。　　 2) 在纯净半导体内掺入微量杂质元素，导电性能显著增加。从而制造出二极管、三极管等器件。 应用：极为广泛，主要是制造电子元器件。典型的半导体材料有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 ;2、 本征半导体；完全纯净、晶格结构完整的半导体称为本征半导体。（即化学成分纯净的半导体。） 常用的半导体材料是硅和锗, 它们都是四价元素, 在原子结构中最外层轨道上有四个价电子。如原子结构模型图 2-１ 所示。; 把硅或锗材料拉制成单晶体时, 相邻两个原子的一对最外层电子(价电子)成为共用电子, 它们一方面围绕自身的原子核运动, 另一方面又出现在相邻原子所属的轨道上。即价电子不仅受到自身原子核的束缚, 同时还受到相邻原子核的吸引。于是, 两个相邻的原子共用一对价电子, 组成??价键结构。故晶体中, 每个原子都和周围的４个原子用共价键的形式互相紧密地联系起来,处于较稳定的状态。如图2 - ２所示。;图 2 – 2 本征半导体共价键晶体结构示意图 ;3、自由电子与空穴 半导体材料最外层电子既不像导体那样极易摆脱原子核的束缚, 成为自由电子, 也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧。当导体处于热力学温度0°K时，导体中没有自由电子。但当温度升高或受到光照时，共价键中的价电子由于热运动而获得一定的能量,价电子能量的增高，使其中少数能够摆脱共价键的束缚，而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发，也称热激发。 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。如图 2-３所示。 电子与空穴的复合 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子在运动过程中失去能量, 与空穴相遇,回到空穴中去，使电子、 空穴对消失, 这种现象称为复合，如图所示。本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。 ;自由电子是带负电荷的载流子，空穴是带正电荷的载流子。 ;总结：1）本征半导体中, 自由电子与空穴是同时成对产生的。因此, 它们的浓度是相等的。 2）半导体中存在着两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。;总结：1）空穴电流（被动形成）就其本质而言，是在电场作用下，共价键上的束缚电子做递补空穴运动时形成的电流，不可将它与自由电子在电场作用下形成的电子电流（主动形成）混为一谈。 2）金属导电是自由电子导电，而半导体导电同时存在自由电子导电和空穴导电，这一特点恰是二者的本质区别。（考点） 3）本征半导体的导电能力取决于半导体内载流子的数目，环境温度越高，光照越强，热激发愈强，半导体中自由电子数越多→产生成对的空穴数越多，载流子数目愈多。因此半导体的导电能力随环境温度的升高会明显增加，这是半导体的又一重要特性。 因此本征半导体载流子浓度对温度十分敏感。随着温度的升高, 基本上按指数规律增加。对于硅材料, 大约温度每升高８℃, 本征载流子浓度增加 1 倍；对于锗材料, 大约温度每升高１２℃, 增加 1 倍。 除此之外, 半导体载流子浓度还与光照有关, 人们正是利用此特性, 制成光敏器件。 ;但在实际中，本征半导体中自由电子和空穴数量极少，即导电能力很低。因此，在实际应用中，并不是本征半