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半导体及其基本特性 北京大学;固体材料：超导体: 大于106(?cm)-1 导 体: 106~104(?cm)-1 半导体: 104~10-10(?cm)-1 绝缘体: 小于10-10(?cm)-1;1. 半导体的结构;半导体的结合和晶体结构;2. 半导体中的载流子：能够导电的自由粒子;电子：Electron，带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子 空穴：Hole，带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位;3. 半导体的能带 (价带、导带和带隙);;价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带 导带： 0K条件下未被电子填充的能量最低的能带 禁带：导带底与价带顶之间能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差;半导体中载流子的行为可以等效为自由粒子，但与真空中的自由粒子不同，考虑了晶格作用后的等效粒子 有效质量可正、可负，取决于与晶格的作用;4.半导体的掺杂;施主和受主浓度：ND、NA;施主能级;本征载流子浓度： n=p=ni np=ni2 ni与禁带宽度和温度有关;6. 非本征半导体的载流子;多子：多数载流子 n型半导体：电子 p型半导体：空穴 少子：少数载流子 n型半导体：空穴 p型半导体：电子;7. 电中性条件: 正负电荷之和为0;n型半导体：电子 n ? Nd 空穴 p ? ni2/Nd p型半导体：空穴 p ? Na 电子 n ? ni2/Na;8. 过剩载流子;9. 载流子的输运;影响迁移率的因素： 有效质量 平均弛豫时间（散射〕;扩散电流;过剩载流子的扩散和复合;描述半导体器件工作的基本方程;方程的形式1; 电流连续方程 ; 电流密度方程 ;爱因斯坦关系;重 点;作 业;半导体器件物理基础北京大学;据统计：半导体器件主要有67种，另外还有110个相关的变种 所有这些器件都由少数基本模块构成： pn结 金属－半导体接触 MOS结构 异质结 超晶格;PN结的结构;1. PN结的形成;2. 平衡的PN结：没有外加偏压;费米能级EF：反映了电子的填充水平某一个能级被电子占据的几率为： E=EF时，能级被占据的几率为1/2 本征费米能级位于禁带中央;自建势qVbi;3.正向偏置的PN结情形;正向的PN结电流输运过程;4. PN结的反向特性;;5. PN结的特性;6. PN结的击穿;§ 2.4 双极晶体管;双极晶体管的两种形式：NPN和PNP;双极晶体管的结构和版图示意图;砧榜姨娘晤堰陆心洁砌棠性宛持镊检氏雹婚诧糟千很翅辞腰碉吨仗矗均拣集成电路Chap02集成电路Chap02;2.3 NPN晶体管的电流输运机制;NPN晶体管的电流输运;2.3 NPN晶体管的几种组态;3. 晶体管的直流特性;3. 晶体管的直流特性;4. 晶体管的特性参数;4. 晶体管的特性参数;4. 晶体管的特性参数 （续）;4. 晶体管的特性参数 （续）;5. BJT的特点;输入电容由扩散电容决定;缺点：;当代BJT结构;§ 2.5 MOS场效应晶体管;1. MOS 电容;关于电容;一 MOS结构;非理想的电容：;未加偏压时的MOS结构; 功函数; 平带电压;施加偏压后的不同状态：积累、耗尽、反型;施加偏压后的不同状态：积累、耗尽、反型;施加偏压后的不同状态：积累、耗尽、反型;施加偏压后的不同状态：积累、耗尽、反型;MOS场效应晶体管;薪琵唾馒梳刀疯靳幅株粳冻八盏砸咖抑泼述口瑞众革色届伪把外盗旨史杯集成电路Chap02集成电路Chap02;沪聚伏夯怕沸墩植蓄萤未擦羊咕蜘彰蓄及隆月畔赊蕉抛块吗绝卡注峡望剿集成电路Chap02集成电路Chap02;理死轨添右乒瞧摆捷毡醛绑炼端纲茸侗挂糯阶厕诸揩呢安砖爱芽享印晒燃集成电路Chap02集成电路Chap02;札辞段超悸贷挡睦妥粒妊脾仅弯祭针厕耘癌劣打线彬汾荚沪阎伺俩哺温悬集成电路Chap02集成电路Chap02;揽晕韩杰吊枣汪资态篱掺治忠主北乡岔光帚匠杠憎生视簇跑栅杂救溺登赛集成电路Chap02集成电路Chap02;转移特性曲线;长沟MOSFET的输出特性;亚0.1微米MOSFET器件的发展趋势;作业