氧对CIS薄膜太阳能电池开路电压的影响.pdfVIP

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2017-07-24 发布于河北
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17 2 Vol17, No2 2 0 1 0 4 Metallic Functional M aterials April, 2010 CIS 侯立婷, 刘迎春, 方玲, 胡小萍, 朱景森, 阎有花, 李艳萍, 卢志超, 周少雄 ( , 100081) : CuIn CuInS , CIS , 2 ,CIS (SEM) ( E S) , X ( XR ) , ( AES) , IV ,CuInS 2 CuIn , Cu In O CIS/ CuIn , 2 2 5 Cu In , CIS CIS :; CuInS ;; 2 :TM615 : A : 1005- 8192(2010)02- 0038- 05 Influence of Oxygen on Opencircuit Voltage of CIS Solar Cells HOU Liting,LIU Yingchun,FANG Ling, HU Xiaoping,ZHU Jingsen, YAN Youhua, LI Yanping,LU Zhichao,ZHOU Shaoxiong ( Advanced Technology and Materials, China Iron Steel Research Institute Group Co. Ltd, Beijing 100081,China) Abstract: The influence of oxygen on the properties of CuInS ( CIS) films were explored in this study CIS films 2 were prepared by precursorsulfurization method The surface morphologies and composition of precursors were characterized by scanning electron microscopy( SEM) and energy dispersion spectrum( E S) The elements depth distribution and crystalline structure of CIS films and the opencircuit voltage( Voc) of CIS solar cell were investiga ted by Auger electron spectrum( AES) , Xray diffraction(XR ) and IV tester It is found that the oxygen is origi nated from CuIn precursors, and existing as Cu In O at the vicinity of CIS/ CuIn interface T hese oxides are diffu