pn 结tio2 纳米纤维的制备及其光催化性能研究 - 基地物理 - 兰州大学.pdf

《基地物理》 2015年第7期 PN TiO 结 2纳米纤维的制备及其光催化性能研究 薛明珠 ，王欣鹤 ，李帅1 2 3 （1. 物理科学与技术学院 12级物理学基地班，甘肃 兰州 730000 2. 物理科学与技术学 院 12级微电子班，甘肃 兰州 730000 3. 物理科学与技术学院 12级材料化学，甘肃 兰 州 730000） 摘 要： 3+ 采用静电纺丝法制备了TiO 纳米纤维，并通过掺杂Fe ，耦合P25，成功地获得了pn 2 3+ 结TiO 纳米纤维。以罗丹明B为降解物，测试了样品的光催化性能。研究了Fe 的掺杂和 2 pn结的形成对TiO 物相结构、形貌以及光催化性质的影响，为拓展TiO 光催化剂在实际中 2 2 的应用奠定了良好的基础。 关 键 词：TiO pn 同质结；光催化；电纺丝；纳米材料 2 1 引 言 TiO 以其具有较高的光催化性，对大多数有机物有较高的降解性、长期的化学稳定性 2 和价廉无毒等优点，成为了光催化技术领域的研究热点。然而，由于TiO 禁带宽度约为3.22 [1] [2,3] eV ，仅能吸收波长小于380nm 的紫外光，而紫外光在太阳光中仅占有3%~5% ，加上 [2,3] 光生电子和空穴易于复合，光量子效率低，阻碍了TiO 光催化材料的实际应用 。因此，2 尽可能改变TiO 的响应波长，缩短TiO 禁带宽度，抑制光生电子和空穴的复合，从而高效 2 2 [2,3] 3+ 3+ 2+ 3+ 的利用太阳能成为人们关注的重点 。目前，掺杂Al ,Cr ,Ni 与Fe 使n型二氧化钛转 [1,2] 变为p型的报道也引起了广泛关注 。金属离子掺杂可以在半导体晶格中引入空穴位置或 [4] 改变结晶度等，从而影响电子-空穴对的复合，提高对可见光的利用率 。 近几年来，复合半导体的研究报道也引起了极大关注，由两种不同禁带宽度的强互补 性的半导体进行复合，有利于电荷分离，抑制电子-空穴对的复合，提高光量子产率，同时 使响应波长红移，充分利用可见光能，扩展了对光谱的吸收范围 [4,9,10,11]。其中，pn结的研 究便是其中一种，pn结中形成内建电场，抑制电子-空穴对的复合，提高光量子产率。然而， 对于复合半导体催化剂的研究正处于起步阶段，对于该催化剂存在的巨大潜能，需要大量且 更加深入的研究去探索。 另外，电纺丝作为一种可制备超精细纤维的新型加工方法，引起了人们的广泛关注。 电纺丝法制备的纳米纤维既具有大的比表面积，更容易分离催化剂，克服了纳米颗粒催化剂 不易分离的缺点，而且电纺丝法设备简单，成本低，产物纯度高，制备工艺易控制 [5,6,7,8]。 日后电纺丝技术应用于光催化剂的研究也是一重大课题，该研究的成功将节省大量的资源， 提高催化效率，带来巨大的经济效益。 3+ 本实验利用静电纺丝法，