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InGaAs/InP PIN PD芯片外延材料检验规范 2、检验内容 外延材料表面 外延材料各层次厚度 外延材料载流子浓度 外延材料物理尺寸 3、外延材料质量检验 3.1 镜检 采用20×10倍数的显微镜观测外延材料表面应镜面、平整、光亮无划痕。 3.2 测量外延层各层厚度 用K3Fe(CN)6 :KOH:H2O=1:1:10溶液显影后，然后用50×10倍测量显微镜测量各外延层厚度，各外延层应界面平整，结线清晰，n-InGaAs吸收层2.5-2.0μm，n-InGaAsP（n-InP）顶层0.8～1.2μm。 * 3.3测量外延片击穿电压 根据扩散后的击穿电压，换算出外延片有源层的载流子浓度。外延片击穿电压应≥45V（对应的载流子浓度≤1.1×1016cm-3）。 3.4测量外延材料物理尺寸 外延材料直径Φ=50.5mm±0.5 mm 4、检验规定 4.1 衬底片表面抽样率为100% 4.2 外延层厚的抽样率为100%。 4.2 外延片击穿电压的抽样率为100%。 * InGaAs/InP PIN PD芯片减薄工艺的检验规范 1、检验内容 待减薄片厚度， 减薄片厚度 2、检验方法 2．1用千分表将待减薄片依次测量其厚度， 将厚度差为±10μm的片子粘到一个磨盘上，然后进行减薄。 2．2 减薄质量检验 用千分表测厚度应为200μm ±20μm。 2．3 用10×10显微镜观察，减薄面无划痕。 ? 4、检验规定 减薄厚度100%检验。 * InGaAs/InP PIN PD芯片中测工艺的检验规范 1、检验内容 反向击穿电压 暗电流 正向电压 2、检验方法 2.1????????? 将不完整的芯片除去。 2.2????????? 在10下测反向击穿电压VB: VB≥30V。 2．3北 在-5V下测暗电流ID: Φ55μm ID≤0.5nA。 Φ300μm ID≤3.5nA。 3、检验规定 3.1 反向击穿电压VB100%检测。 3.2 暗电流100%检测。 3。2正向电压100%检测 * InGaAs/InP PIN PD芯片减薄工艺的检验规范 1、检验内容 待减薄片厚度， 减薄片厚度 2、检验方法 2．1用千分表将待减薄片依次测量其厚度，将厚度差为±5μm的片子粘到一个磨盘上，然后进行减薄。 2．2 减薄质量检验 用千分表测厚度应为195μm ±10μm。 2．3 用10×10显微镜观察，减薄面无划痕。 ? 3、检验规定 减薄厚度100%检验。 * * PIN PD 芯片知识 * 培训内容 PD芯片基本理论 PD 芯片设计说明 PD芯片工艺流程 PD芯片参数及测试 PD芯片检验 结束语 * 1、什么是PD芯片？ PD——Photo Devices 光电探测器 Photo Dioder 光电二极管 2、为什么要做PD芯片？ 光纤通信均采用光谱很窄的单色光源，要求所采用的检测器具有波长选择性，因此系统的检测器都采用光子器件。 3、PD所探测的波长 λ=1.3μm λ=1.55μm 4、PD图示方法 P N * 6.1PD的工作原理 平衡状态下的PN结：P型N型半导体交界面将发生载流子的扩散运动。达到平衡时形成空间电荷区，形成内建电场Ei以及接触势垒Vd，Vd Ei的存在阻止了多数载流子向对方扩散，达到了动态平衡。 6.2光照时节 当光波照射到PN结上，光子就会产生电子空穴时，光生载流子的运动同样在结区形或电场Ei，和电压Vp，而Vp和Ep的方向和极性正好与Vd和Ei相反起削弱电场Vd和Ei的作用，当外界光照是稳定的将PN结西端用导线连接，串入电流计就能读出光电流Ip. * 6.3外加电时 反向偏置的P—N结。 零偏下的PN结，当以适当的能量光照射PN结。使光生电场E=Ei-Ep=0即Ei已被削减为零。耗尽区不存在。这时光生载流子虽仍在P-N中产生。但无电场引导和加速。在杂乱的扩散过程中，大部份光生空穴和光生电子相继复合而消失。不能形成外部电流。 A、零偏置有大弊端 ①器件的响应率很差且很易饱和 ②依靠扩散动动形成的光电流响应速度很慢 B、 PN结上加反向偏置电压 势垒Vd+V高度增加，耗尽区宽度W加宽。响应率和响应速度都可以得到提高。 * 7、PIN光电二极管 PN结器件：结构简单；暗电流降低困难，无法提高响应率；稳定性差 PIN器件： 当器件处于反偏置状态时电源在PN结中形成电场E与内建电场Ei同