知识4第四章 离子注入.pptVIP

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知识4第四章 离子注入

4.6 注入退火 离子注入所形成的损伤有: ①散射中心:使迁移率下降; ②缺陷中心:非平衡少子的寿命减少,漏电流增加; ③杂质不在晶格上:起不到施主或受主的作用。 退火目的:消除注入损伤,使注入离子与位移Si原子恢复正常的替位位置--激活。 退火方法:热退火(传统退火);快速退火。 * 热退火机理: a.无定形层(非晶层):通过固相外延,使位移原子重构而有序化。无定形是晶体的亚稳态,这种固相外延可在较低温度下发生。 b.非无定形层:高温下,原子振动能增大,因而 移动能力增强,可使复杂的损伤分解为简单的缺陷,如空位、间隙原子等。 简单的缺陷能以较高的迁移率移动,相互靠近时, 就可能复合而使缺陷消失。 退火工艺条件:温度;时间;方式(常规、快速)。 4.6 注入退火 * 4.6.1 硅材料的热退火特性 退火机理: ①复杂的损伤分解为简单缺陷:空位、间隙原子; ②简单缺陷可因复合而消失; ③损伤由单晶区向非单晶区通过固相外延再生长得到恢复。 二次缺陷:简单缺陷重新组合,形成新的缺陷。 注入剂量与退火温度成正比。 载流子激活所需温度:低于寿命和迁移率恢复所需温度 (杂质激活能小于Si扩散的激活能)。 4.6 注入退火 * 4.6.2 硼的退火特性 4.6.3 磷的退火特性 4.6.4 热退火过程的扩散效应 (以上请自学) 4.6 注入退火 * 4.6.5 快速退火(RTA,rapid thermal annealing) 常规热退火的缺点 ①激活率an低; ②二次缺陷; ③导致明显的杂质再分布; ④硅片变形。 RTA机理:利用高功率密度的物质作用于晶片表面,使注入层在短时间内达到高温,以到消除损伤的目的。 特点: 退火时间短(10-11-102秒); 注入杂质激活率高; 对注入杂质分布影响小; 衬底材料的电学参数基本不受影响; 4.6 注入退火 * 4.6.5 快速退火 种类 a.脉冲激光:固-液相外延退火机理。 优点:功率密度高;激活率高。 b.连续波激光:固-固相外延退火机理。 优点:杂质分布不受影响。 缺点:能量转换率低(1%) c.电子束:固-液外延退火机理。 优点:能量转换率高(50%)。 d. 宽带非相干光源 光源:卤素灯,电弧灯。 优点:无干涉效应;生产效率高;设备简单。 * RTA与炉(热)退火 RTP退火 炉退火 * 金属栅极对准问题 对准 未对准 金属栅MOS工艺:先制作源漏,后制作栅极(为什么?) * 离子注入P(自对准) 1、以多晶硅栅为掩膜,离子注入各项异性,自对准注入 2、同时多晶硅也被掺杂,多晶硅的电阻率降低 在小尺寸器件中,尤其重要,Leff=Lgate-2LD * 扩散与离子注入的对比 扩散 离子注入 高温,硬掩膜 900-1200 ℃ 低温,光刻胶掩膜 室温或低于400℃ 各向同性 各向异性 不能独立控制结深和浓度 可以独立控制结深和浓度 * 集成电路制造技术 第四章 离子注入 西安电子科技大学 微电子学院 戴显英 2012年9月12日 * 本章主要内容 离子注入特点 离子注入设备原理 离子注入机理 离子注入分布 离子注入损失 注入退火 离子注入与热扩散对比 * 4.1 离子注入特点 定义:将带电的、且具有能量的粒子入射到衬底中。 应用:COMS工艺的阱,源、漏,调整VT的沟道掺杂,防止寄生沟道的沟道隔断,特别是浅结。 特点: ①注入温度低:对Si,室温;对GaAs,400℃。 (避免了高温扩散的热缺陷;光刻胶,铝等都可作为掩蔽膜。) ②掺杂数目完全受控:同一平面杂质均匀性和重复性在±1%(高浓度扩散5%-10%);能精确控制浓度分布及结深,特别适合制作高浓度、浅结、突变型分布。 * 4.1 离子注入特点 ③无污染:注入离子纯度高,能量单一。 (质量分析器;背景真空度高) ④横向扩散小:有利于器件特征尺寸的缩小。 ⑤不受固溶度限制:原则上各种元素均可掺杂。 ⑥注入深度随离子能量的增加而增加。 (诸多优点,使离子注入成为IC工艺的主要掺杂技术) 缺点: ①损伤(缺陷)较多:必须退火。 ②成本高 * 4.2 离子注入设备原理 离子注入设备结构 ①离子源;②质量分析器;③加速器;④偏束板;⑤扫描器;⑥靶室 离子注入系统的原理示意图 * 1.离子源 作用:产生注入用的离子。 原理:杂质原子高能电子轰击(电子放电)注入离子 类型:高频,电子振荡,溅射 2.磁分析器(质量分析器) 作用:将所需离子分选出来。 原理:带电离子在磁场中受洛伦磁力作用,运动轨迹发生弯曲。 4.2 离子注入设备原理 * 3.加速器 作用:使离子获得所需的能量。 原理:利用强电场,使离子获得更大的速度。 4

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