关于3.3 材料的电导-a.pptVIP

?以上公式看出: EF的重要性： 杂质能级与费米能级的相对位置反映了电子\空穴占据杂质能级的情况 * ? 当ED-EFkT时， nD≈0，nD+ ≈ ND ，施主基本全部电离。 当ED-EFkT时， nD≈ND，施主杂质基本上没有电离。 思考：ED与EF重合时，电离与未电离的情况？ nD=2ND/3，nD+ =ND/3，施主杂质有1/3电离，还有2/3没有电离。 * 同理，EF-EA》kT时，受主杂质几乎全部电离了。 当EF远在EA之下时，受主杂质基本上没有电离。 * 费米能级EF 将半导体中的大量电子看成一个热力学系统，统计理论证明 费米能级就是系统的化学势 1. 意义：系统处于热平衡状态，也不对外做功时，系统 中增加一个电子所引起系统自由能的变化。 2. 处于热平衡状态的系统有统一的费米能级。 费米能级与温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量及 能量零点的选取有关，它是一个很重要的物理参数。 * n型半导体的载流子浓度 考虑只含一种施主杂质的n型半导体： ⊕ ⊕ ⊕ 电中性方程： 导带电子浓度 电离施主浓度 价带空穴浓度 在热平衡条件下，半导体成电中性 思考： P型半导体的电中性方程怎么写？ 总的负电荷浓度=总的正电荷浓度 * n0=nD++p0 * （1）低温弱电离区 当温度很低时，大部分施主杂质被电子占据，只有少数杂质电离，使少量电子进入导带，称作弱电离。此时本征激发忽略不计，所以 n0=nD+ * ?低温弱电离区费米能级与温度、杂质浓度以及掺入何种杂质原子有关。 代入电中性条件式： 取对数后化简得： 因 nD+ND，则有 ： * 在低温极限T→0K时，费米能级位于导带底和施主能级 间的中线处。 E F E D * 理解EF随T变化： T变化 电离的杂质浓度改变 导带电子数发生变化 EF变化。 E T EC ED EF NC=0.11ND * （2） 中间电离区 当温度升高，费米能级下降，但温度升高到EF=ED时，施主杂质有1/3电离 n0=nD+=1/3ND （3）强电离区 当温度升高到大部分杂质都电离时称为强电离。 当施主杂质全部电离时，n0=ND。 此时载流子浓度与温度无关，载流子浓度保持等于杂质浓度的这一温度范围成为饱和区。 * 简并化条件 当EF接近但还未超过导带低EC时，已经有一些简并化效果。在EF比EC低2k0T时，即EC－EF＝k0T时，n0的值已经开始略有差别了。所以可以把EF与EC的相对位置作为区分简并化的标准。即 EC－EF﹥2k0T 非简并 0EC－EF ≤ 2k0T 弱简并 EC－EF ≤ 0 简并 * 简并半导体的载流子浓度 认为费米能级EF在禁带中，而且EC－EFk0T或EF－EVk0T。 这时导带电子和价带空穴服从玻耳兹曼分布，它们的浓度为 * 但是，EF非常接近或进入导带时，EC－EFk0T的条件不满足，这时导带电子浓度必须用费米分布函数计算，于是简并半导体的电子浓度n0为 令 * 则 其中积分 称为费米积分，用F1/2(ξ)表示。因而，n0可写为 * 当EF非常接近或进入价带时，用同样方法可得简并半导体的价带空穴浓度为 * 电离的结果：价带中的空穴数增加了， 这即是掺受主的意义所在。 受主能级 EA * Ec Ev EA 受主能级靠近价带顶部 (2)受主电离能和受主能级 * Si、Ge中 Ⅲ 族杂质的电离能△EA（eV） 晶体 杂 质 B Al Ga In Si 0.045 0.057 0.065 0.16 Ge 0.01 0.01 0.011 0.011 * 受主能级EA 受主杂质的电离能小，在常温下基本上为价带电离的电子所占据（空穴由受主能级向价带激发）。 * 杂质电离或杂质激发： 杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁）。 本征激发： 电子从价带直接向导带激发，成为导带的自由电子，这种激发称为本征激发。 只有本征激发的半导体称为本征半导体。 所需要的能量称为杂质的电离能。 * 例：Si在室温下，本征载流子浓度为 1010/m3，掺入P： 本征激发与杂质激发的对照 P的浓度/Si的浓度=10-6 Si 的原子浓度为