精选5电力电子器件驱动电路.pptVIP

4.2.3 缓冲电路（Snubber Circuit） 缓冲电路作用分析 无缓冲电路： V开通时电流迅速上升，di/dt很大 关断时du/dt很大，并出现很高的过电压 有缓冲电路 V开通时：Cs通过Rs向V放电，使iC先上一个台阶，以后因有Li，iC上升速度减慢 V关断时：负载电流通过VDs向Cs分流，减轻了V的负担，抑制了du/dt和过电压 图1-38　di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形 a) 电路 b) 波形 4.2.3 缓冲电路（Snubber Circuit） 关断时的负载曲线 无缓冲电路时：uCE迅速升，L感应电压使VD通，负载线从A移到B，之后iC才下降到漏电流的大小，负载线随之移到C 有缓冲电路时：Cs分流使iC在uCE开始上升时就下降，负载线经过D到达C 负载线ADC安全，且经过的都是小电流或小电压区域，关断损耗大大降低 图1-39　关断时的负载线 4.2.3 缓冲电路（Snubber Circuit） 充放电型RCD缓冲电路（图1-38），适用于中等容量的场合 图1-40示出另两种，其中RC缓冲电路主要用于小容量器件，而放电阻止型RCD缓冲电路用于中或大容量器件 图1-40　另外两种常用的缓冲电路 a)　RC吸收电路　b)　放电阻止型RCD吸收电路 4.2.3 缓冲电路（Snubber Circuit） 缓冲电路中的元件选取及其他注意事项 Cs和Rs的取值可实验确定或参考工程手册 VDs必须选用快恢复二极管，额定电流不小于主电路器件的1/10 尽量减小线路电感，且选用内部电感小的吸收电容 中小容量场合，若线路电感较小，可只在直流侧设一个du/dt抑制电路 ?对IGBT甚至可以仅并联一个吸收电容 晶闸管在实用中一般只承受换相过电压，没有关断过电压，关断时也没有较大的du/dt，一般采用RC吸收电路即可 4.3 电力电子器件器件的串联和并联使用 4.3.1 晶闸管的串联 4.3.2 晶闸管的并联 4.3.3 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点 返回 4.3.1 晶闸管的串联 目的：当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联 问题：理想串联希望器件分压相等，但因特性差异，使器件电压分配不均匀 静态不均压：串联的器件流过的漏电流相同，但因静态伏安特性的分散性，各器件分压不等 承受电压高的器件首先达到转折电压而导通，使另一个器件承担全部电压也导通，失去控制作用 反向时，可能使其中一个器件先反向击穿，另一个随之击穿 返回 4.3.1 晶闸管的串联 静态均压措施 选用参数和特性尽量一致的器件 采用电阻均压，Rp的阻值应比器件阻断时的正、反向电阻小得多 图1-41　晶闸管的串联 a)　伏安特性差异　b)　串联均压措施 4.3.1 晶闸管的串联 动态均压措施 动态不均压——由于器件动态参数和特性的差异造成的不均压 动态均压措施： 选择动态参数和特性尽量一致的器件 用RC并联支路作动态均压 采用门极强脉冲触发可以显著减小器件开通时间上的差异 4.3.2 晶闸管的并联 目的：多个器件并联来承担较大的电流 问题：会分别因静态和动态特性参数的差异而电流分配不均匀 均流措施 挑选特性参数尽量一致的器件 采用均流电抗器 用门极强脉冲触发也有助于动态均流 当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串后并的方法联接 返回 4.3.2 晶闸管的并联 图1－43 晶闸管并联均流电路 4.3.3 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点 电力MOSFET并联运行的特点 Ron具有正温度系数，具有电流自动均衡的能力，容易并联 注意选用Ron、UT、Gfs和Ciss尽量相近的器件并联 电路走线和布局应尽量对称 可在源极电路中串入小电感,起到均流电抗器的作用 ??IGBT并联运行的特点 在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态压降具有负的温度系数 在以上的区段则具有正温度系数 并联使用时也具有电流的自动均衡能力，易于并联 返回 图1-25 光耦合器的类型及接法 普通型 高速型 高传输比型 返回 图1-26　理想的晶闸管触发脉冲电流波形 t1~t2?脉冲前沿上升时间（1?s）　t1~t3?强脉冲宽度　 IM?强脉冲幅值（3IGT~5IGT） t1~t4?脉冲宽度　　 I?脉冲平顶幅值（1.5IGT~2IGT） 返回 图1-27 常见的晶闸管触发电路 返回 图1-28　推荐的GTO门极电压电流波形 返回 图1-29　典型的直接耦合式GTO驱动电路 返回 图1-30　理想的GTR基极驱动电流波形 返回 图1-3