教案lecture12存储器扩展.pptVIP

微机原理与接口技术 存储器与存储器扩展 * 存储器概述 半导体存储器 MCS-51单片机存储器扩展 存储器与存储器扩展 * 存储器定义 在微机系统中凡能存储程序和数据的部件统称为存储器。 存储器分类 微机系统中的存储器分为内存和外存两类。 存储器概述 存储容量大，存取速度慢；它不能直接与CPU交换信息，必须经过内存实现；常用的有硬盘、软盘和光盘。 存储容量有限，存放将要运行的程序和数据，存取速度快，可以直接与CPU交换信息。 * 内存储器的组成 微机系统中的存储器由半导体存储器芯片组成。 单片机内部有存储器，当单片机内部的存储器不够用时，可以外扩存储器。外扩的存储器就是由半导体存储器芯片组成的。 当用半导体存储器芯片组成内存时必须满足： ①每个存储单元一定要有8个位。 ②存储单元的个数满足系统要求。 注意：半导体存储器芯片的存储容量是指其上所含的基本存储电路的个数，用单元个数×位数表示 （每个存储单元一般要有8个位，可以存储8位二进制信息） * 存储器的容量 芯片容量 = 存储单元数 x 每单元位数 2K x 8的存储器 表示 它有2K个单元，每单元有8位 1K x 4的存储器 表示 它有1K个单元，每单元有4位。若要用它组成一个1Kx8位的存储器，就需要两块这样的芯片。 * ROM（Read Only Memory） 存放固定程序/数据 —— 断电后不消失，非易失性 信息的写入通常在脱机状态下或计算机处于写ROM状态下进行 分类： 掩膜ROM（Read Only Memory）：出厂时已决定 一次可编程型PROM（Programmable ROM）：熔断或保留熔丝，只可编程一次 可编程可擦除型EPROM（Erasable Programmable ROM）：允许用户多次擦除其中信息，紫外线光源照射 电可改写型EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）：电气方法擦除信息 闪烁存储器FLASH * 只读存储器的结构 由地址译码器、存储矩阵、输出缓冲器 组成 译码器 —— n条地址输入线，寻址2n个存储器单元 存储矩阵 —— 每个存储单元m位，每一位可以是一个二极管，一个三极管，或者一个MOS管 输出缓冲器 —— 三态门，OE为控制信号，OE为1时，输出呈高阻状态，OE为0时，将存储单元的内容输出到数据总线 地 址 译 码 器 存储矩阵 2nXm 输 出 缓 冲 器 A0 A1 An-1 OE D0 D1 Dm-1 … … … … * 4x4ROM矩阵 每一位对应一个MOS管，ROM中存储信息反映在各个MOS管栅极的连接方式上 当某字线为1时，相应单元的内容就从位线D3~D0读出 * Intel2764的容量为8K×8，有28个引脚： ? Al2~A0：地址信号输入引脚，可寻址芯片的8K个存储单元。 ? D7~D0： 双向数据信号输入输出引脚。 ? CE：片选信号输入引脚，低电平有效，只有当该引脚转入低电平时，才能对相应的芯片进行操作。 ? OE：数据输出允许控制信号引脚，输入，低电平有效，用以允许数据输出。 ? VPP：+25v电源，用于在专用装置上进行写操作。 ? PGM：编程脉冲输入。低电平有效 ? Vcc：+5v电源。 ? GND：地。 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 CE OE VPP PGM D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 2764 已知芯片容量求芯片数据线和地址线条数。若半导体存储器芯片的容量为a×b，则其数据线条数为b条，地址线条数满足如下关系： 2n=a 典型EPROM芯片2764 * RAM是随机读写存储器，其中的信息由CPU通过指令读写（MOVX @DPTR, A; MOVX A, @DPTR）。 RAM特性： RAM具有易失性，即掉电后其上的信息消失，故用于存储临时性数据。 RAM分类： RAM分为2类：双极型和MOS型（MOS型RAM因其集成度高，功耗低，价格便宜而得到广泛应用）。 MOS型RAM又分为SRAM和DRAM。 SRAM用MOS型双稳态触发器存储信息，集成度低，接口简单。 DRAM用电容存储信息，集成度高，接口复杂，因为电容上的电荷容易泄漏，所以必须定时充电。 RAM（Random Access Memory） * 随机存储器的结构框图 地 址 译 码 器 存储矩阵 2nXm 输 出 缓 冲 器 A0 A1 An-1 D0 D1 Dm-1 … … … … 存储器 读写控制逻辑 R / W CE