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半导体器件原理 南京大学 * 半导体器件原理 南京大学 ? ? ? * 半导体器件原理 南京大学 a: ?s0: Qsc0, 空穴积累 b: 0 ?s ?F： Qs 0, 空穴耗尽（高阻势垒区），忽略耗尽层载流子浓度。 负空间电荷随?s增大的速度变慢。 外加负偏压的增加，使??s?增大，Qsc指数上升。(空穴对表面电场的屏蔽作用） * 半导体器件原理 南京大学 * 半导体器件原理 南京大学 c: ?F ?s 2?F：从p区反型成n区，弱反型。 ?s? 2?F，强反型。 Qsc?随?s指数上升。 （电子对表面电场的屏蔽作用） * 半导体器件原理 南京大学 * 半导体器件原理 南京大学 * 半导体器件原理 南京大学 (3) ?s及W与外加偏压的关系 外加电压降落在二氧化硅层和半导体表面内的空间电荷区上。 * 半导体器件原理 南京大学 1）对耗尽层情况： 由氧化层厚度，半导体掺杂浓度，可得?s随VG的变化关系。 * 半导体器件原理 南京大学 2）对强反型情况： 空间电荷密度还包括载流子，耗尽层宽度达极大值。 外加电压只引起反型层中电子浓度的增加以及金属电极上正电荷的增加。 * Homework P109: 2.14, 2.16, 2.17, 2.18 * 南京大学 第二章 基本器件物理 I。若干概念 (1) 载流子浓度与费米能级 *