课件c14-稳定磁场.pptVIP

* 因为端部的磁场设计得比中部的强,带电粒子运动到端部附近时,就像在一个瓶子的颈部一样被收束得更细,加上带电粒子在非均匀磁场中所受的洛仑兹力总有一个指向磁场较弱方向的轴向分量,在这个分力的作用下,接近端部的带电粒子就像光线遇到镜面反射一样,又沿一定的螺旋线向中部磁场较弱部分返回。这样,高温等离子体中的带电粒子就被磁场约束在一定的区域内来回运动而不能逃脱。这就是所谓的磁塞效应和磁镜效应。 图14-46 磁约束 等粒子体的温度高达几千万度，甚至上亿度。 * 三 .霍耳效应  1879年,霍耳(A.H.Hall)发现下述现象:在匀强磁场B中放一板状金属导体,使金属板面与B的方向垂直,在金属板中沿着与磁场B垂直的方向通以电流I,则在金属板上下两个表面之间就会出现横向电势差VH(见图14-47)。这种现象称为霍耳效应,VH称为霍耳电势差。 b I 图14-47 B a 上下两个表面之间的电场用EH 表示。 产生霍耳效应的原因：金属中的自由电子受洛仑兹力的作用。 VH fm ? * 达到稳恒状态时， -eEH=-e?B 即 EH=? B VH= EH.a=a?B I=ne? 式中b是导体在磁场方向的厚度。 霍耳效应不只在金属导体中产生,在半导体和导电流体(如等离子体)中也会产生。 (14-22) 得 b I 图14-47 B a VH fm ? ab * 9 金属导体中形成电流的载流子是带负电的自由电子；在N型半导体中的多数载流子仍是带负电的电子，但在P型半导体中的多数载流子却是带正电的空穴。 通过对霍耳电势差的实验测定,可判定半导体的类型,还可以用式(14-22)计算出载流子的浓度。用霍耳效应来测磁场，是现在一个常用的比较精确的方法。 有的金属(如Be,Zn,Cd,Fe等)会出现反常霍耳效应:其霍耳电势差的极性与载流子为正电荷的情况相同,好像这些金属中的载流子带正电似的。80年代又发现了在低温、强磁场条件下的整数量子霍耳效应(获1985年诺贝尔物理奖)和分数量子霍耳效应,这些现象用经典电子论无法解释,只能用量子理论加以说明。 * 例题14-19 在均匀磁场中，一电子经时间t=1.57×10-8s, 从a沿半圆运动到b，a、b相距0.1m。求空间磁场的大小和方向，以及电子的运动速度。 a b 图14-48 ? 解 磁场方向： 又由 R= 垂直纸面向里。 T = * 例题14-20 匀强磁场B只存在于x0的空间中,且B垂直纸面向内,如图14-49所示。一电子在纸面内以与x=0的界面成?角的速度?进入磁场。求电子在y轴上的入射点和出射点间的距离，以及y轴与电子在磁场中的轨道曲线包围的面积。 解 电子进入磁场后，作圆运动，如图14-49所示。 找出圆心o?，加辅助线o?A、o?B。 入射点和出射点间的距离: AB=2Rsin? y轴与轨道曲线包围的面积: ? o ? 图14-49 x y A B ? R o? * 例题14-21 半导体的大小a×b×c=0.3×0.5×0.8cm3 , 电流I=1mA(方向沿x轴), 磁场B=3000Gs(方向沿z轴)，如图14-50所示；测得A、B两面的电势差uA-uB=5mv, 问: (1)这是P型还是N型半导体？(2)载流子浓度n=? 解 (1) 由uAuB , (2)由公式 代入I=10-3A, B=0.3T, b=0.3×10-2m, VH=5×10-3v, 得： n=1.25×1020个/m3。 I a b c x y z B A B 图14-50 判定是N型。 * 例题14-22 如图14-51所示, 空间存在匀强电磁场：电场E沿y轴，磁场B沿z轴。将一点电荷+q在坐标原点静止释放，简述它将作什么样的运动。若轨道最高点P(x,y)处的曲率半径?=2y，求：该电荷的最大速率。 解 电荷+q受电场力的作用由静止开始运动，同时又受到洛仑兹力 的作用，于是作旋轮线运动。 在P点速率最大: ?=2y 因洛仑兹力不作功, 所以 解得： fe fm . P(x,y) x E z +q y 图14-51 B * §14-3 安培环路定理 真空中, 安培环路定理的数学表示式如下： 1.?I内—是闭合路径l所包围的电流的代数和。 这就是说，B的环流完全由闭合路径l所包围的电流确定，而与未包围的电流无关。 包围—以闭合路径l为边界的任