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第19卷 第8期 电子设计工程 2011年4月
V01．19 No．8 Electronic
DesignEngineering Apr．2011
一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究
樊艳，王丽侠
(唐山学院信息工程学院，河北唐山063000)
N阱CMOS工艺下，
摘要：为了满足深亚微米级集成电路对低温漂j低功耗电源电压的需求，提出了一种在0．25斗m
采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了y雎和Vr的线
V电源电压下，当温度在一20-70℃之间变
性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T-SPICE软件仿真表明，在3．3
1
化时．该电路输出电压的温度系数为10x10唧℃。输出电压的标准偏差为1mV，室温时电路的功耗为5．283mW，属
于低温漂、低功耗的基准电压源。
关键词：带隙参考电压源；温度补偿；电源抑制比
中图分类号：TN43；TN72 文献标识码：A
ofaCMOS referencecircuit
Study band-gap
■
low drift
丽th temperature
FAN Li-xia
Yah，WANG
063000，China)
(CollegeofInformationalEngineering，Tangshanc0Jcfe萨，Tan铲han
To oflow driftandlow insubmicron
Abstracemeetthe integrated
requirementtempreture powerconsumptionpowersupply
referencewithfirst-order was circuitis
CMOS circuit compensation
circuit，a band-gap temperature presented．Thepresented
fabricated the N-wellCMOS ofchartered corecircuitoftheCMOS reference
byusing0．251上m process corp．The band-gap
circuitWaSconstituedof eanleture toobtainnear弛m coefficient
bipolartran
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