基于高k GaAs界面态起源的材料设计.pdfVIP

Research Materials Genome—Article 基于高 κ/GaAs 界面态起源的材料设计 1,2 1 1 1 1 1 * Weichao Wang, Cheng Gong, Ka Xiong, Santosh K. C., Robert M. Wallace, Kyeongjae Cho 摘要：为了满足微电子器件不断扩展到更小尺寸的需求，SiO SiO [1] 2 2 ，而金属栅代替了多晶硅栅 。在这个快速进程 栅极介电层被高介电常量材料Hf(Zr)O 所替代，以尽可能减少 中，材料设计发挥着关键性的作用，指引人们从许多候 2 流过介电薄膜的漏电流。然而，与高介电常量(高κ)电介质连 κ [2–5] 选材料中选择极具潜力的高 电介质和金属栅材料 。 接时，传统Si通道中的电子迁移率由于库仑散射、表面粗糙度 最近，美国政府启动了材料基因组计划(MGI)，旨在推 散射、远程声子散射和介电电荷捕获而有所下降。III-V和Ge [6] MGI 动先进工程系统应用新材料的发展与商业化 。 以 是两个有希望的候选材料，其迁移率均优于Si。尽管如此，与 在新功能材料开发中引入理性材料设计为目标，试图缩 Si基界面相比，Hf(Zr)O/III-V(Ge)的界面结合更为复杂。成功 ( 20 ) 2 短材料开发周期 大大缩短了传统上 年的周期 ，而非 制造高质量器件关键在于优化器件界面设计时对Hf(Zr)O/III- 遵循传统依靠实证试错的方法。值得注意的是，笔者的 2 V(Ge)界面结合结构的理解与设计。因此，从原子尺度准确了 ( ) 研究工作 关于另一个主题 已经证实从概念设计开始到 解界面结合与界面态形成的机制变得尤为重要。在本文中，笔 商业产品开发用时在八年以内，从而证实了MGI 的理念 者利用第一性原理计算方法，对HfO 与GaAs之间的界面性质 [7–9] FET 2 。从这个角度看， 器件扩展的下一步是引入高 进行了研究。结果表明，隙间态主要由As—As二聚物键合、 Si MGI