热丝辅助mwecr-cvd法沉积氢化非晶硅薄膜研究 investigation of deposition of hydrogenated amorphous silicon thin film with hw-mwecr-cvd system.pdfVIP

第27卷第10期 太阳能学报 V01．27．No．10 2006年10月 ACrAE1幔RGIAES0Ⅲ．ARIs刚ICA 吣．。2006 热丝辅助MWECR．CVD法沉积 氢化非晶硅薄膜研究 刘国汉1’3，丁 毅1，朱秀红2，何 斌2，陈光华2，贺德衍1’2 (1．兰州大学物理科学与技术学院，兰州730000； 2．北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室，北京100022； 3．甘肃省科学院传感技术研究所，兰州730000) 等离子体的热辐射使等离子体升温，既促进了气体的进一步分解和电离，获得较多的低氢原子基团，也减少了活性 高硅烷聚合物的生成，从而使薄膜中的(siH2)。的含量降低。同时，热丝对样品表面提供的热辐射和光辐射也可以 进一步降低薄膜的氢含量。实验结果表明，用这种装置沉积的a—si：H薄膜，氢含量可降低到4．5at％左右，稳定性 明显增强，光敏性也有一定改善。 关键词：电子回旋共振；等离子体增强化学气相沉积；氢化非晶硅薄膜；热丝；光致衰退效应 中图分类号：0484 文献标识码：A 热扩展等离子体cVD方法都可以有效降低薄膜中 0 引 言 的氢含量，使薄膜的光致衰退效应明显减弱。据此， 作为最有应用前景的太阳电池材料之一，氢化 非晶硅(a-Si：H)材料的光致衰退效应到目前仍未得 MwEcR—cⅧ系统中设置了热丝装置。 到很好解决。光致衰退效应会造成电池效率随光照 时间逐步下降。电池效率的衰减和沉积薄膜速率的 1 偏低使非晶硅材料成本很难降低，严重制约了其更 大规模的应用…。多年来人们一直在致力于提高薄 置由微波系统(包括微波源、波导管和微波耦合窗)、 膜沉积速率和改善其性能的研究。 磁场系统、等离子体谐振腔、沉积室、样品台温控系 在光致衰退效应或称S眦bler—wmnski效应中， 统、热丝系统、真空系统和气路系统组成。呈圆环状 氢扮演着非常重要的角色。特别是材料中以(SiH2)。 的热丝位于等离子体谐振腔出口与沉积室的样品台 形式存在的氢，含量越高，薄膜的光致衰退效应越明 之间，热丝圆环的直径为120mm，由直径为0．5咖， 显。因此降低材料中的氢含量是提高其稳定性的重 纯度≥99．95％的白钨丝制成。热丝圆环的两端通 要手段。 过真空封装电极于加热电源相连。 微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR— 由于热丝的电阻较小，加热电源采用低电压大 cVD)技术是较为有效的快速生长a—Si：H薄膜的方 电流的调压交流电源。 法之一。我们开发的MwEcR—cvD系统使a．si：H薄 系统工作时，在谐振腔里产生的高度活化的等 膜的生长速率达到了2．5nlll／s以上。而且薄膜具有 离子体在磁场的作用下被导人沉积室，从而对沉积 很好的光敏性[2]。已有的大量研究表明，引入热丝 室内样品台上的基片进行沉积。热丝正好环绕在等 (HotwiIe)技术的CVD系统如热丝CVD(H盯cvD)、 离子体(可见辉光)区之外，既可对等离子体产生强 等离子体增强CvD(PECvD)与HⅣ．cVD的组合以及 烈的热辐射，又不会阻挡等离子体的正