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基于溶液法的金属诱导碟型晶畴多晶硅薄膜和薄膜晶体管的研究.pdf
第 24卷 第 6期 液 晶 与 显 示 Vo1.24.No.6
20O9年 12月 ChineseJournalofLiquidCrystalsandDisplays Dec.,2009
ArticleID:1007—2780(2009)06—0812-06
InvestigationofDisk—LikeDomainPo1ycrystalline
SiliconFilmsandThin—Film TransistorsUsing
Solution—BasedM etalInducedCrystallization
ZHAO Shu—yun ,M ENG Zhi—guo”,
WU Chun—ya ,W ONG M an ,KW OK Hoi—sing
(1.DepartmentofElectronicandComputerEngineering,HongKongUniversityofScienceandTechnology,HongKong,China
2.InstituteofOpto—Electronics,NankaiUniversity,Tianjin 300071,China)
Abstract:Po1ycrysta1line silicon (poly-Si) filmsconsistingofsuper-largedisk—likedomains
wereobtainedwithsolution-basedmetal—inducedcrystallization (SMIC)ofamorphoussilicon.
Theprepared disk-likedomain SMIC poly-Sihasan averagedomain sizeofup to 50 gm ,
highestholeHallmobilityof30.8am /V ·s,andhighestelectronHallmobilityof45.6
cm /V ·s.P-typepoly-SiTFT basedondisk—likedomainSMIC poly-Sihashighfieldeffect
mobilityof70~80cm /V一 ·s_。,sub-thresholdslopeof1.5V/decade,on/offstatecurrent
ratioof1.01×10 andthresholdvoltageof一8.3V Also,P-typedisk-likedomainSMIC poly-Si
TFTsexhibitedexcellentreliabilityunderhighgatebias—stressandhotcarrierbias—stress.
Keywords:disk—likedomainSM IC poly-Si;poly-SiTFTs;TFT reliability
CLC number:TN321 .5 Documentcode:A
havebeenobtainedusingthetechniquesofexci—
1 Introduction
marlaserannealing (ELA)[。]andmetal—induced
W hilemostactivematrixliquidcrystaldis— crystallization (M IC)[43.Thereareseveralvaria-
plays(LCD)aremadeofamorphoussilicon (a—
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