电化学制备薄黑硅抗反射膜!-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 $ % ’##/ % ， ， ， X?; *$ 1? * % Y9@E9MZ ’##/ （ ） %###5(’)#T’##/T$ #% T#%5# O24O JUV6W2O 6W1W2O ’##/ 2=:@ * J=ZC * 6?H * 电化学制备薄黑硅抗反射膜! 刘光友 谭兴文 姚金才 王 振 熊祖洪! （西南大学物理科学与技术学院，重庆 ##$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ’##$ ( % ’##$ %) 采用计算机控制电流密度按指数规律衰减对单晶硅进行电化学腐蚀，得到了折射率随薄膜厚度连续均匀变化 的抗反射膜，即黑硅样品 这种在制取上快速、经济和工艺非常简单的样品，不仅在较宽波段范围内反射率小于 * + ，且整个薄膜厚度不足% , * 利用传输矩阵方法对黑硅样品的反射谱进行模拟，得到了理论与实验符合较好的 ! 结果* 关键词：多孔硅，折射率，抗反射膜，黑硅 ： ， ， !## $(-#. /%-# ’’0 因之一 在制备 减反射膜（或低反射膜）时，常采 * J6 用的方法是制备四分之一波片的 单层膜或多层 %I 引 言 J6 ［ ］ %- 膜系而形成抗反射膜 ，但也存在低反射率的波段 ［ ］ 不够宽的局限性 %$ 作为一种半导体材料且在地球上含量十分丰富 最近， 等人 采用电化学腐蚀 * K9 的硅，有着非常广阔的用途 除了用于熟知的二极 法制备了折射率呈梯度变化的多层 结构，其反射 *