五元系组分空间的几何表示以及晶格常数与能带和互溶隙的计算3.pdf

　第 19 卷第 10 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　 . 19, . 10　 V o l N o 　1998 年 10 月　　　 　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S O ct 五元系组分空间的几何表示以及晶格 常数与能带和互溶隙的计算 徐自亮　徐万劲　李　力　杨澄清　刘弘度 (北京大学物理系及国家介观物理重点实验室　北京　100871) 摘要　本文将五元系分为两大类; 并提出用三维空间中的立体图形展示五元系化合物的组分 分布; 提出了五元系化合物的晶格常数和禁带宽度以及互溶隙范围的计算公式, 并在此基础上 计算了与 GaA s 衬底晶格匹配的A lGa InPA s 的等禁带宽度曲线和互溶隙的范围. : 6855, 7820 , 7865 PACC B 1　引言 包括砷化物、磷化物和氮化物在内 族多元化合物体系的禁带宽度分布非常广, 不 但覆盖了可见光波段, 并向两边延伸到红外和紫外波段. 因此长期以来受到人们广泛的关 注. 目前已有许多基于 族多元化合物的器件产品, 如各种颜色的可见光发光二极管 ( ) 、激光二极管( ) 和光电探测器等, 在许多领域内都得到了应用. L ED s LD s 与 族三元和四元系化合物半导体材料相比, 五元系有自己独到的优势: 它具有三 个组分自由度. 这意味着可以独立地调整五元系材料的组分、晶格常数和禁带宽度. 换句话 说, 相同晶格常数和禁带宽度的五元系材料可以具有不同的固相组分, 与组分有关的各种光 电性质也可以不同, 如折射率、禁带宽度 E g 在 E C 和 E V 之间的分配值等. 这有益于获得比 较理想的异质结结构. 当然, 五元系也有自身的缺点: 可控因素过多. 族五元系材料最大的应用前景在于制作红光发光器件. A lGaA s 和 Ga InPA s 是制 作红光发光器件的两类重要材料. 但是, 为了兼顾人眼的视觉函数和材料本身的特性, A l GaA s 超高亮度红光发光管的最短发光波长为 650nm , 而且此时A lGaA s 的组分已经靠近 间接带隙区, 因此发光效率不能令人满意; Ga InPA s 虽然是直接带隙材料, 但它的最短波长 极限仍不能突破 650nm. 族五元系材料A lGa InPA s 的带隙范围可完全涵盖上述两类 　 本项目得到国家自然科学基金的资助, 项目号为 徐自亮　男, 1969 年出生, 理学博士, 从事光电子学方面的研究; 目前通讯地址: 中国科学院国家微重力实验室及力 学研究所, 北京 100080 徐万劲　男, 1963 年出生, 工程师, 从事光电子学方面的研究 刘弘度　男, 1938 年出生, 教授, 从事光电子学和通讯方面的研究 收到,定稿 730 　　　　　　　　　　　　　　　半　导　体　学　报　 19 卷 材料的带隙范围; 另外, 五元系材料在固定禁带宽度的情况下, 仍能够调节自身的组分, 使之 远离间接带隙区域, 从而达到改善自身发光效率的目的. 但是到目前为止, 绝大多数对 族多元化合物体系的研究都局限于三元和四元系 [ 1 ] 统, 很少有关于五元系的报道 . 本文作者曾在正规溶液近似的基础上推导出一套描述五元 系固液相平衡界面的方程, 并计算出 晶格匹配体系的固液相图; 根据计