《Electronic Circuit Design1模拟电子技术》BSS83 MOSFET.pdfVIP

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2017-07-25 发布于四川
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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSS83 MOSFET N-channel enhancement switching transistor Product speciﬁcation April 1991 File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product speciﬁcation MOSFET N-channel enhancement switching transistor BSS83 DESCRIPTION Marking code: Symmetrical insulated-gate silicon BSS83 = M74 MOS field-effect transistor of the N-channel enhancement mode type. The transistor is sealed in a SOT143 envelope and features a low ON resistance and low capacitances. The transistor is protected against excessive input voltages by integrated back-to-back diodes between gate and substrate. handbook, halfpage 4 3 d APPLICATIONS b g s • analog and/or digital switch • switch driver 1 2 Top view MAM389 PINNING 1 = substrate (b) 2 = source 3 = drain 4 = gate Fig.1 Simplified outline and symbol. Note 1. Drain and source are interchangeable. QUICK REFERENCE DATA Drain-source voltage