GaN基纳米柱LED制备.pdf

第十五层全圈化合物半导体、徽波器件和光电嚣件掌术套议 广州’08 WED-GaN．D04 GaN基纳米柱LED的制备 朱继红1，张书明1，王辉1，江德生1，朱建军1，刘宗顺1，赵德刚1， 杨辉1’2 (1．巾国科学院半导体研究所，集成光电子学国家霞点实验室，北京100083= 2．中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，苏州215123) 摘要：以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制备出了直径在i00—300nm之间，高度为700nm左右LED纳米柱结构， 并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明纳米柱的PL强度是平面结构的4倍，相对于刻蚀之前，纳米 柱的PL发光峰发牛蓝移并且峰值半高宽(FWHM)有所降低。用化学腐蚀的方法对纳米柱进行了去损伤处理，发现去损伤后纳米 柱的PL强度进一步增强，为处理前的3．5倍。最后用旋涂上艺对纳米柱进行了平坦化，进一步制作成为GaN纳米LED器件。 关键词：纳米LEDInGaN／GaNPL化学腐蚀 中图分类号：TN205 The fabri cati onofGaN—basedi I I arLED nanop JihongZhul，Shuming Zhan91，HuiWan91，DeshengJian91，JianjunZhul，ZongshunLiul，Degang Zha01．Hui Yangl’2 China； Abstract：InGaN／GaN LED withadiameter 100—300nmanda multiplequantumwell(MQWs)一based nanopillararrays ofapproximately of700nmwerefabricatedinLED Niself-assemblednanodotsas mask．In tothe LED height as—grown epilayerusing etching comparison allenhancementafactoroffour afterthefabrication ablue sample by isachieved ofphotoluminescence(PL)intensityofnanopillals，and shiftandadecreaseoffullwidthat PL aleobserved．ThemethodofadditionalchemicalWas halfmaximum(FWHM)ofthe peak etching usedtoremovetheetch-induced PL of LEDsaftersuchatreatmentisabout3．5times thanthat damage．Theintensitynanopillar stronger beforetreatment．ThenwefabricatedGaN—based nano—LED technicsOBth