实验九NMOS与PMOS.PDFVIP

I 應用電子學實驗講義（ ） 實驗九 NMOS 與 PMOS 之直流特性 零件 VP2410L VN2410L 1k ， 各一枚； 精密電阻 一枚； 精密電阻 51Ω　 一枚； 冷卻劑； 電熱吹風機（請自備）。 目的 1. 瞭解 NMOS 與PMOS 之直流操作特性，並比較他們的異同。 2. 測試操作特性的溫度效應。 相關背景知識 1. MOSFET 的操作原理及分類。 2. NMOS PMOS 和 的直流電流電壓特性。 和 的說明 VP2410L VN2410L ： MOSFET VP2410L VN2410L PMOS 這個實驗所用到的 編號是 和 ，前者是 ，而後 者是 NMOS電晶體，他們的接腳圖請查閱元件資料庫的網頁。我們使用的這兩種電 source substrate 晶體源極（ ）已經和基板（ ）連在一起，也有一些其他的電晶體源極 source substrate （ ）和基板（ ）沒有連在一起，我們可以根據需要來選擇用哪一個電 晶體。 MOSFET enhancement V =0 這次實驗所使用的 都是加強型的（ ），在 GS 時，他們 OFF source drain 應該是在截止區（ ），即源極（ ）和汲極（ ）間不導通。 程序 一、MOS中之二極體 3 PMOS NMOS 我們這裡要利用實驗五的方法（程序的動態特性曲線測試）來測試 和 D 中 （汲）極和基板間二極體的特性。測量方法示意圖如下： 實驗九之1 I 應用電子學實驗講義（ ） A D B Ch1 Ch2 R 1kΩ 訊號產生器 示波器的 X-Y模式 A A D G