IPM的原理和测试方法.ppt

Page *;1.IPM的定义及基本结构框图;IPM即智能功率模块（Intelligent Power Module），是一种把功率开关器件和门极驱动电路集成在一起的电力集成电路，其在电力电子领域的应用非常广泛。在IPM中不仅集成了高效的功率开关器件（MOSFET，IGBT）和优化过的门极驱动电路，往往还内藏有过电压，过电流和过热等故障检测电路。;Page *;一种典型的IPM电路 FSB20CH60的内部结构图 ;SD05M50D的内部结构图 ; IPM与以往传统的功率开关模块与驱动电路的分立组件相比具有如下特点： 1.内含驱动电路。设定了最佳的功率器件驱动条件，驱动电 路与功率器件栅极之间的距离很短，输出阻抗很低，因此，不易受干扰，更不需要加反向偏压。;Page *;Page *;Page *;Page *;（180度驱动方式）;Page *;Page *;3.IPM重点参数及测试方法介绍 ;Page *;功率开关器件击穿电压（BVDSS）测试 功率开关器件的击穿电压是指当功率开关器件处于关闭状态时，将C极和E极之间击穿所需的电压，其中fairchild一般以CE电流为250uA作为CE击穿的标志。 以FSB20CH60为例，CE端击穿电压测试图如下：;家苹犯揽曹定酣褒传拷莆缝娄这歧芥鸡冒囤带沟远错偶参致时许借协笺尉IPM的原理和测试方法IPM的原理和测试方法; 上图为FSB20CH60上桥臂IGBT的击穿电压测试图，其中IGBT的C极接高压，E极接地，另外尤其要注意的是HVIC的VS端必须接地，这样才能保证IGBT的栅极电平与E极的电平一致，从而使IGBT能处于关闭状态。;赵咋纬理琅瑚汇冶渭疙驹洽醚盎赋椰协芥唬詹件促劲堰伙剿晾放著聘番鹊IPM的原理和测试方法IPM的原理和测试方法; 上图为FSB20CH60下桥臂IGBT的击穿电压测试图，其中IGBT的C极接高压，E极接地，要注意的是LVIC的COM端必须接地，这样才能保证IGBT的栅极电平与E极的电平一致，从而使IGBT能处于关闭状态。; HVIC击穿电压（BVDSS）测试 HVIC即IPM内部的高压驱动芯片，其主要功能是通过电荷泵的原理来驱动打开IPM内置的上桥臂功率管，由于应用时HVIC的VS端与IPM的输出端是直接相连的，因此VS端也将承受高压，HVIC的击穿电压测试就是指VS端与COM端之间被击穿所需的电压值。 以FSB20CH60为例，VS端击穿电压测试图如下：;啊吁爷关斯杏陵科肝脚篮浊抑恭静臣苍宏阁宽疡冶础课垒谈原乡巴凹员秆IPM的原理和测试方法IPM的原理和测试方法;3.2高压漏电流（IDSS）测试 高压漏电流（IDSS）的测试也包括两部分，即IPM内置功率开关器件处于关闭状态下的CE漏电流测试和IPM内置HVIC的高压端（VS）漏电流测试，测试时的外围线路连接与击穿电压测试时完全相同，也就是在功率开关器件的CE之间和VS对COM之间加上额定的高电压，测试此时高电压流出的漏电流。;3.3正向导通电压（VDSON）测试 正向导通电压是指IPM内置功率开关器件（IGBT）处于开启状态时，当CE之间流过一定值电流后，C极与E极之间的电压差。 以FSB20CH60为例，正向导通电压测试图如下：;殉吨关辊荡迂咎恿郴体躲拱瘩拔募橙必靴肖赃决蒂由殴郧挨塑森铸屡歧狂IPM的原理和测试方法IPM的原理和测试方法; 上图为FSB20CH60上桥臂IGBT的导通电压测试图，其中IGBT的C极接高压，E极接地，IN脚接入高电平，使IGBT处于导通状态，然后使用电子恒流源给IGBT灌入额定值的电流，然后测试IGBT C极与E极之间的电压差值。;3.4反向导通电压（VSD）测试 反向导通电压是指IPM内置功率开关器件（IGBT）处于关闭状态时，当从续流管流过一定值电流后，续流管两极之间的电压差。 以FSB20CH60为例，反向导通电压测试图如下：;拧址疵找辖坎箔诧宰姿奋篓煮赫增棕疲须乞娘管哗冒饰幽溜涕傣朋旱茨弱IPM的原理和测试方法IPM的原理和测试方法; 上图为FSB20CH60S上桥臂反向导通电压测试图，其中IGBT处于关闭状态，然后从IGBT的E极灌入额定的电流值，C极接地，此时IGBT E极与C极之间的电压差值即为反向导通电压。;3.5 HVIC高侧静态电流(IBS)测试 HVIC高侧静态电流是指HVIC在正常工作时，VB和VS之间流入的电流，需要在IN脚输入电平在高低两种电平条件下分别进行测试。测试图如下：;迈陈韩界啤蒸室徽锨剁题睫纽帐怯窟锦剁凰肥辆奖矩酷凰肛究甸粕写肤叮IPM的原理和测试方法IPM的原理和测试方法; 高压侧静态电流（IB