第八章 晶体的结构及晶体材料1.pptVIP

导体 具有导带 绝缘体 只有满带和空带,而且禁带宽度(Eg)不小于5eV 半导体 只有满带和空带,而且禁带宽度(Eg)小于3eV 金属晶体中自由电子（或离域电子）的存在使金属具有良好的导电传热性能； 第二节 金属晶体的结构与应用 一 金属晶体的一般性质及其结构根源 自由电子能够吸收可见光并能随即放出，使金属不透明、有光泽； 金属原子近似等径圆球的堆积型式使得金属晶体受到外力作用时，原子间容易滑动，所以金属有良好的延展性和可塑性； 无方向、饱和性, 离域性极为显著 金属之间能够形成各种组成的合金，也是由金属键的性质所决定的。 二 金属键的本质 金属键起源于金属原子的价电子公有化于整个金属大分子（金属晶体），在典型的金属中，根本没有定域的双原子键，在形成金属键时，电子由原子能级进入晶体能级（能带）形成了离域的N中心键，高度的离域，使体系的能量下降较大，从而形成了一种强烈的吸引作用。 * 第八章 晶体的结构与晶体材料 一 金属晶体的密堆积原理 金属晶体可视为等径圆球的密堆积 第一节 晶体结构的能带理论和密堆积原理 ?圆球的中心位于等边三角形网的一系列A点上，?每一个球和位于正六角形顶点上的近邻相接触。 单一的圆球层的上部表面显现出一连串的三角形凹陷或‘坑’，而且它们可方便地区分成：中心分别在B和C上的两组。  (c) 六方密堆积，各层按序列ABABA…重复，晶胞的平面图用虚线勾出； (d) 立方密堆积，各层按序列ABCABCA…重复。 最密堆积 密堆积 密堆积类型 最密堆积 密堆积 A1型最密堆积，可划出立方面心晶格，又称立方最密堆积。 A3型密堆积，可划出六方晶胞，又称六方最密堆积。 A2型密堆积，可划出立方体心晶格，又称立方体心高密堆积。 空间利用率 A1型密堆积空间利用率为74.06%，金属铜。若立方晶胞常数为a，则金属原子半径为 A3型密堆积空间利用率为74.06%。 金属镁。 Mg晶胞 A2型密堆积空间利用率为68.02% . α型铁 金属原子半径为 金属原子的配位数: 密堆积中与每个圆球相切的其它圆球的个数 A1和A3型的配位数为12 A2型的配位数为8 多层堆积 当球堆积为四层重复时，可表示为 …ABACABAC… 当球堆积为五层重复时，可表示为：…ABCABABCAB… 六层堆积的两种情况： (1) …ABCACB ABCACB ABCACB… …hcc hcc hcc hcc hcc… (2) …ABABAC ABABAC ABABAC… 多层密堆积的空间利用率为74.06%。 A4型堆积 金刚石型堆积 (1) 空间利用率 34.01% 共价型晶体中广泛存在 (2) 金属原子半径 金刚石结构 二 金属晶体的能带理论 能带都是直接由金属原子轨道线性组合而成。 并因电子由原子能级进入晶体能带而高度离域。 金属键的能带理论 分子轨道理论 金属键本质 N个Na原子形成“大分子” Na金属晶体 金属结构的能带模型 K空间 能带图 满带 导带 空带 禁带 价带 禁带宽度为带隙Eg 电子的可活动区域 导带中只有部分能级填有电子，而且带内各能级间能量差又极小，低能级上的电子易被激发到同一能带内未填能级之上，从而形成了电子的移动。 *